Urządzenia cieplno-chemiczne do wytwarzania nowoczesnych związków półprzewodnikowych

• Autorzy: Orzyłowski M. , Łobodziński W.

Warianty tytułu

EN

The thermal chemical systems for modern semiconductor compounds production

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opisano wybrane urządzenia opracowywane w Przemysłowym Instytucie Elektroniki na potrzeby przemysłu półprzewodnikowego: urządzenie do syntezy i polikrystalizacji fosforku indu metodą HGF oraz urządzenie do monokrystalizacji węglika krzemu metodą PVT. Procesy te wymagają wysokotemperaturowych pól temperatury o precyzyjnie kontrolowanym rozkładzie w reaktorach o określonej atmosferze gazowej i ciśnieniu. Do syntezy i krystalizacji konieczne jest też wytwarzanie gradientów temperatury, które przesuwają się wraz z frontami krystalizacji. Temperatura pracy reaktorów opisywanych urządzeń wynosi od kilkuset do ok. 2500°C, ciśnienie od próżni do 3 MPa, a ponadto często we wspomnianych procesach stosowane są niebezpieczne materiały, takie jak na przykład fosfor. Wśród najważniejszych podstaw teoretycznych rozwoju urządzeń cieplno-chemicznych są precyzyjne matematyczne modelowanie pól temperatury w reaktorach tych urządzeń i sterowanie tymi polami z zastosowaniem wielokanałowych systemów komputerowych.

EN

The paper describes selected systems worked out in Industrial Institute of Electronics for semiconductor industry purposes: system for indium phosphide synthesis and polycrystallization by HGF method and system for silicon carbide monocrystallization by PVT method. These processes require the high-temperature fields of precise controlled distribution in the reactors of determined gas atmosphere and pressure. For synthesis and crystallization the temperature gradients moving with the crystallization fronts are necessary. Work temperature in the reactors of described systems is in the range of few hundred to 2500°C and pressure from vacuum to 3 MPa. Very often the hazardous chemicals such as phosphorus are used. One of the most important theoretical basics of development of described systems are: precise mathematical modeling of the temperature fields in the reactors and control of these fields by mean of multi-channel computer systems.

Słowa kluczowe

PL

związki półprzewodnikowe; krystalizacja; pole temperatury; reaktory wysokotemperaturowe

EN

semiconductor compounds; crystallization; temperature field; high-temperature reactor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 8
• Strony: 74--76
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Orzyłowski M.

autor

Łobodziński W.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Katedra Informatyki Stosowanej Politechniki Łódzkiej

Bibliografia

• [1] Łuczyński Z., (2007): Przez dwa lata udało nam się osiągnąć dolną granicę technologii komercyjnej. Wywiad, Elektronik - Magazyn Elektroniki Profesjonalnej, Warszawa, nr 6 (121), czerwiec 2007, ss. 32-36, ISSN 1248-4030.
• [2] Asahi T., Kainosho K., Kohiro K., Noda A., Sato K., Oda O., (2003): Growth of Ill-V and II-VI Single Crystals by the Vertical-gradient-Freeze Method. Chapter 15 of Crystal Growth Technology, John Wiley & Sons, Ltd, 2003, ISBN: 9780471490593.
• [3] Orzyłowski M., Łobodziński W., Rudolf Z., Kałużniacki T., Nowicki G., Sawicki J., Zych M., (2004): Diagnostyka stanu procesu syntezy związku półprzewodnikowego na podstawie pomiarów pośrednich. Pomiary Automatyka Robotyka, nr 7/8, 2004, ss. 74-77, ISSN 1427-9126.
• [4] Materna A., Rudolf Z., Orzyłowski M., (2007): Estymacja ciśnienia w reaktorze kwarcowym do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury, Materiały Elektroniczne, ITME, t. 34, nr 3/4, Warszawa 2006, ss. 40-60, ISSN 0209-0058.
• [5] Tymicki E. A., Grasza K., Diduszko R., Bożek R., Gała M., (2007): Initial Stage of SiC Crystal Growth by PVT Method. The Fifth International Conference on Solid State Crystals and Eighth Polish Conference on Crystal Growth, 20-24 May 2007, Zakopane.
• [6] Drachev R., Deyneka E., Rhodes C., Schupp J., Sudarshan T., (2006): Fundamental Limitations of SiC Growth Reactors with Cylindrical Heaters. Materials Science Forum Vol. 527-529 (2006), pp. 15-20.