PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Failures of power semiconductor devices in service conditions
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Analiza uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy (PPM) daje wartościowe informacje niezbędne do racjonalnego projektowania urządzeń energoelektronicznych. Omówiono różnice w mechanizmach uszkodzeń PPM-ów i przyrządów sygnałowych. Przedstawiono podstawowe przyczyny uszkodzeń diod prostowniczych, tyrystorów konwencjonalnych SCR, tyrystorów wyłączalnych GTO i tranzystorów IGBT. Naświetlono procesy zmęczeniowe spowodowane narażeniami emperaturowo - mechanicznymi. Rozważania zilustrowano przykładowymi fotografiami zniszczonych PPM-ów.
EN
The failure analysis of power semiconductor devices (PSD) is valuable information to make some necessary converter circuit correction. Differences between PSD and signal device failures are described. Main failure mechanisms of rectifier diodes, SCR thyristors, GTO thyristors and IGBT transistors are discussed. Failures due a thermal fatigue are given as well. Selected results with example photos of PSD destroyed surfaces are presented. Application of an expert system for the PSD failure analysis is also discussed.
Rocznik
Strony
55--60
Opis fizyczny
Bibliogr. 19 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Instytut Elektrotechniki, Zakład Przekształtników Mocy, Warszawa
Bibliografia
  • [1] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.: Fizyka uszkodzeń tyrystorów dużej mocy. Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki, nr 115, 1991, ss. 53-61.
  • [2] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.: Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w układach przekształtnikowych. Prace Instytutu Elektrotechniki, nr 174, 1993, ss. 57-70.
  • [3] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.: Failure mechanisms of power MOSFET transistors. XIII Symposjum "Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits", Poznań, May 1994.
  • [4] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Stypułkowska E., Świątek H., Świątek G.: New generation semiconductor devices failures in power electronic equipments. Proc. of PEMC'94, Warszawa, Sept. 1994.
  • [5] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świątek G.: Causes and mechanisms of semiconductor device failures in power converter service conditions. 6th European Conference on Power Electronics and Applications EPE'95, Sept. 1995, Sevilla (Spain), vol. 1, pp. 625-630.
  • [6] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Stypułkowska E., Świątek H., Świątek G.: Investigation of destroyed parts of surface of high power semiconductor devices in service conditions. 6th European Symposium Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF'95, Oct. 1995 Bordeaux.
  • [7] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świątek G.: Surface failure study of high power semiconductor devices. Proceedings of the XIV Symposium Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits-EPNC'96, Poznań (Poland), May 1996.
  • [8] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zymmer K.: IGBT transistor failures in high power converters. Proceedings of the 3rd International Seminar on Power Semiconductor - ISPS'96, Sept. 1996, Prague (Czech Republic).
  • [9] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.: Skutki uszkodzeń tranzystorów dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych. I Międzynarodowa konferencja "Bezpieczne urządzenia Energoelektroniczne" SPES'98. Warszawa-Międzylesie, 24-27.11.1998.
  • [10] Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Zagrożenia eksplozją przyrządów energoelektronicznych podczas występowania zwarć w przekształtnikach dużej mocy. I Międzynarodowa Konferencja Naukowo-Techniczna "Bezpieczne urządzenia energoelektroniczne" SPES'98. Warszawa-Międzylesie, 24-27 listopada 1998, t. 1, ss. 257-266.
  • [11] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.: Some observation dealing with the failure of IGBT transistors in high power converters. Microelectronics Reliability 1998 nr 6-8.
  • [12] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świątek G.: Semiconductor device failures in power converter service conditions. EPE Journal (European Power Electronics and Drives Journal) 1998 nr 3-4, ss. 12-17.
  • [13] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.: Uszkodzenia tranzystorów IGBT dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych. Wiadomości Elektrotechniczne 1999, nr 1, ss. 19-22.
  • [14] Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy: właściwości i zastosowania. Zarys encyklopedyczny. WKiŁ, Warszawa 1999, s. 280.
  • [15] Januszewski S., Zymmer K.: Over-current protection coordination in converters with IGBT transistors. 8th European Conference on Power Electronics and Application EPE'99. Lozanna, 7-9 września 1999.
  • [16] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zymmer K.: Wpływ uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy na bezpieczeństwo urządzeń energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki 1999, z. 203, ss. 215-234.
  • [17] Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zabłocki Z., Zymmer K.: 45 lat przyrządów energoelektronicznych w Instytucie Elektrotechniki. Prace Instytutu Elektrotechniki 2001, z. 209, s. 87-140.
  • [18] Januszewski S.: Converter Topology Influence on Electrical Hazard of Power Semiconductor Devices. Proc. of the XVII Symposium Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits. Leuven (Belgium), Juli 2002, s. 235-238.
  • [19] Januszewski S., Zymmer K.: Uszkodzenia dyskretnych przyrządów energoelektronicznych dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych. Elektronizacja 2002, nr 11, ss. 32-35.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0006-0038
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.