Tyrystor wyłączalny komutowany bramką GCT jako modyfikacja tyrystora GTO

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Gate commutated turn-off thyristor (GCT) as a modification of the GTO thyristor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono obecny stan rozwoju tyrystorów GTO. Przedstawiono budowę, zasady działania, technologię oraz możliwe dziedziny zastosowań tyrystorów GCT. Porównano właściwości i charakterystyki eksploatacyjne tranzystorów IGBT oraz tyrystorów GCT. Podano dalsze perspektywy rozwojowe tyrystorów GCT.

EN

Gate turn-off thyristor (GTO) state of the art is described. Structure, operation principles, mode of fabrication, and possible fields of application of GCT thyristors are presented. Performance and service characteristic comparisons of IGBT transistors and GCT thyristors are discussed. Further development trends of GCT thyristors are given.

Słowa kluczowe

PL

tyrystory GTO; budowa; technologia; zastosowanie

EN

GTO thyristor; structure; technology; application

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 1
• Strony: 14--24
• Opis fizyczny: Bibliogr. 28 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki, Warszawa,

Bibliografia

• 1. Baliga B. J.: Trends in power discrete devices. Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - ISPSD'98 June 1998 Kyoto (Japan).
• 2. Bernet S., Steimer P. K.: IGCTS in soft switching power converters. Proc. of EPE'99, Sept. 1999 Lausanne (Switzerland).
• 3. Caroll E. et al.: Integrated gate - commutated thyristors: A new approach to high power electronics. Proc. of IEMDC, May 1997, Milwaukee (USA).
• 4. Gawecka H., Januszewski S.: Perspektywy rozwoju tyrystorów wyłączalnych. Wiadomości Elektrotechniczne, 1998 nr 8.
• 5. Gawecka H., Januszewski S.: Niezawodność wysokonapięciowych modułów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne, 1999 nr 8.
• 6. Grüning H. E., Odegard B.: High performance low costes MVA converters realised with integrated gate commutated thyristors (IGCT). Proc. of EPE'97 Vol 2.
• 7. Grüning H. E., Lõnard D.: Leistungshalbleiter und Schaltungstechnik für Bahnstromanvendungen der Zukunft. Elektrische Bahnen Vol 97, 1999, no 1-2, 42-48.
• 8. Iwamato H. et al.: A 6 kV, 4 kA symmetrical GCT for current source inverter application. Proc. of Power Conversion - PCIM'2000, June 2000, Nürnberg (Germany).
• 9. Januszewski S.: Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 3, 117-121.
• 10. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.: Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS. Wiadomości Elektrotechniczne, 1998 nr 6.
• 11. Januszewski S.: Tyrystor wyłączalny komutowany bramką - nowy łącznik energoelektroniczny. Materiały XII Beskidzkiego Seminarium Elektryków - BSE'98, październik 1998, Istebna.
• 12. Januszewski S., Zymmer K.: Problemy eksploatacji układów energoelektronicznych z tyrystorami wyłączalnymi (GTO). Prace Instytutu Elektrotechniki 1998 r., zeszyt 198.
• 13. Januszewski S.: Przegląd aktualnych tendencji rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki. Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki. VIII Sympozjum PPEE'99 Ustroń, to 22-25 marca 1999.
• 14. Januszewski S.: Nowe wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy. Materiały XIII Beskidzkiego Seminarium Elektryków - BSE'99, listopad 1999, Istebna.
• 15. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy - właściwości i zastosowania. WKŁ, Warszawa 1999.
• 16. Januszewski S.: Stan obecny i perspektywy rozwoju przyrządów energoelektronicznych. Elektronika, 2000 nr 10.
• 17. Kurachi K. et al.: GCT thyristor - a novel approach to high power conversion. Proc. of Power Conversion - PCIM'98, May 1998, - Nürnberg (Germany).
• 18. Materiały informacyjne dotyczące tyrystorów wyłączalnych/komutowanych bramką firmy ABB oraz Rockwell Automation.
• 19. Nakagawa T. et al.: A new high power device: GCT thyristor. Proc. of EPE'97, Vol 2, pp, 70-75.
• 20. Peter J. M.: Main future trends for power semiconductors from the state of the art to future trends. Proc. of Power Conversion - PCIM'99, June 1999 Nürnberg (Germany).
• 21. Satoh K. et al.: 6 kV/4 kA gate commutated turn-off thyristor with operation DC voltage of 3,6 kV. Proc. of ISPSD'98 June 1998, Kyoto (Japan).
• 22. Schweizer A., Caroll E.: Application Aspects. Section 5 ABB Semiconductors AG.
• 23. Shakweh Y.: Critical assessment of HV power devices for MV PWM VSI Converters. Proc. of EPE'99, Sept. 1999, Lausanne (Switzerland).
• 24. Steimer P. K. et al.: The IGCT - The key technology for low cost, high reliable high power converters with series connected turn-off devices. Proc. of EPE'97, Vol. 1, Sept. 1997 Trondheim (Norway).
• 25. Stillman H. M.: IGCT- Megawatt power switches for medium-voltage applications. ABB Review, 1997 no 3.
• 26. Takata I. et al.: Snubberless turn-off capability of four-inch 4,5 kV GCT thyristor. Proc. of ISPSD'98, June 1998 Kyoto (Japan).
• 27. Weber A. et al.: Reverse blocking IGCTs for current source inverters. Proc. of Power Conversion - PCIM'2000, Nürnberg (Germany).
• 28. Zargari N. et al.: A new current source converter using a Symmetric Gate Commutated Thyristor (SGCT). IEEE Trans. on Industry Application. June/July 2001.