Krzem porowaty. Otrzymywanie, własności, zastosowanie

• Autorzy: Nossarzewska-Orłowska E.

Warianty tytułu

EN

Porous silicon. Formation, properties, applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Krzem porowaty jest coraz częściej stosowany w technologii przyrządów krzemowych. W artykule opisano proces otrzymywania krzemu porowatego przez elektrochemiczne trawienie krzemu w HF oraz zależność mikrostruktury od warunków trawienia. Podano przykłady najważniejszych zastosowań. Zainteresowanie tym materiałem wzrosło po odkryciu w 1990 r. jego własności fotoluminescencyjnych, z którymi wiąże się możliwość zintegrowania przyrządów mikro- i optoelektronicznych na płytce krzemowej. Dzięki dużej powierzchni właściwej, krzem porowaty jest bardzo aktywny chemicznie, co wykorzystywane jest w technologii przyrządów SOI oraz w mikromechanice.

EN

Porous silicon (PS) is a promising materiał for silicon devices technology. This paper gives a short description of the PS formation by the electrochemical dissolution of silicon in HF and the dependence of its microstructure on the anodization conditions. In the following a brief overview of the most important applications is given. The discovery of photoluminescence in 1990 and the understanding of the growth of nanostructures has opened the way to the integrated micro- and optoelectronic devices on the same silicon wafer. Another interesting feature is a large specific internal surface of PS and its chemical acivity. The applications of PS in the dielectric isolation of integrated devices, in particular the fabrication of Silicon On Insulator (SOI) structures, and in the silicon micromachining are shown.

Słowa kluczowe

PL

krzem porowaty; ELTRAN; właściwości luminescencyjne

EN

porous silicon; ELTRAN; specificity of photoluminescence

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 40, nr 2
• Strony: 3--6
• Opis fizyczny: Bibliogr. 24 poz., wykr.

Twórcy

autor

Nossarzewska-Orłowska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa