Dielectric behavior of high permittivity Cu2Ta4O12 ceramics

• Autorzy: Szwagierczak D. , Kulawik J.

Warianty tytułu

PL

Właściwości dielektryczne ceramiki Cu2Ta4O12 o wysokiej przenikalności elektrycznej

• Konferencja: International Conference of IMAPS Poland Chapter (30 ; 24-27.09.2006 ; Kraków, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this work Cu2Ta4O12 ceramics was investigated as a candidate, lead-free, non-ferroelectric material with high dielectric permittivity. The influence of sintering conditions on dielectric properties of this compound was studied. Capacitance and dissipation factor of the samples were determined as a function of temperature (-55...700°C) and frequency (10 Hz to 1 MHz). Dc conductivity of the specimens was measured in the temperature range 20-640°C. Phase composition, microstructure and chemical homogeneity of the developed ceramics were also studied.

PL

W pracy badano Cu2Ta4O12 jako bezołowiowy, nieferroelektryczny materiał o wysokiej przenikalności elektrycznej. Określano wpływ warunków spiekania na właściwości dielektryczne tego związku. Wyznaczano pojemność i współczynnik stratności próbek w funkcji temperatury (w zakresie -55...700°C) i częstotliwości (w zakresie 10 Hz... MHz). Mierzono przewodnictwo elektryczne ceramiki w zakresie temperatur 20...640°C. Badano również skład fazowy, mikrostrukturę i chemiczną jednorodność wytworzonej ceramiki.

Słowa kluczowe

EN

ceramics; capacitance; dissipation factor as a function temperature and frequency

PL

ceramika; pojemność; współczynnik stratności w funkcji temperatury i częstotliwości

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 47, nr 12
• Strony: 24--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Szwagierczak D.

autor

Kulawik J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Kraków

Bibliografia

• [1] Subramanian M. A., Li D., Duan N., Reisner B. A., Sleight A. W.: High Dielectric Constant in ACu3Ti4O12 and ACu3Ti3FeO12 Phases, J. Solid State Chemistry 151, 2000, 323.
• [2] Sinclair D. C., Adams T. B., Morrison F. D., West A. R.: CaCu3Ti4O12: One-step internal barrier layer capacitor, App. Phys. Lett., 80 [12], 2002, 2153.
• [3] Li J., Sleight A. W., Subramanian M. A.: Evidence for internal resistive barriers in a crystal of the giant dielectric constant material: CaCu3Ti4012, Solid State Communications 135, 2005, 260.
• [4] Heinrich A., Renner B., Lux R., Ebbinghaus S. G., Relier A., Stritzker B.: Influence of oxygen pressure, temperature and substrate/target distance on Cu2Ta4O12 thin films prepared by pulse-laser deposition, Thin Solid Films, 479, 2005, 12.
• [5] Renner B., Lunkenheimer P., Schetter M., Loidl A., Relier A., Ebbinghaus S. G.: Dielectric behavior of copper tantalum oxide, Journal of Applied Physics, 96 [8], 2004, 4400.
• [6] Ngoc H. N., Petitbon F., Fabry P.: Investigations on the mixed conductivity of copper tantalate, Solid State Ionics, 92 (1996) 183.