Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS

• Autorzy: Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Properties and characteristics of CoolMOS transistor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono strukturę oraz omówiono podstawowe właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Zwrócono szczególną uwagę na parametry odpowiedzialne za obszar bezpiecznej pracy tranzystora, takie jak rezystancja włączenia oraz napięcie blokowania (przebicia) oraz silną zależność wartości tych parametrów od ładunku wbudowanego w naprzemiennie domieszkowanych obszarach (kolumnach) stanowiących warstwę epitaksjalną tranzystora. Przedstawiono otrzymane przez autora wyniki symulacji wybranych charakterystyk z wykorzystaniem makromodeli tranzystora CoolMOS, opracowanych przez firmę Infineon dla programu SPICE. Wybrane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów lu charakterystykami katalogowymi, co pozwoliło na wstępną ocenę tych makromodeli.

EN

The structure and basic features and characteristics of CoolMOS transistor are presented. The parameters determining CoolMOS Safe Operating as on-resistance (R_ON) as well as the breakdown voltage (U_BR) and strong dependence of these parameters on the charge built-in inside the n, p-kolumns existing in the epitaxial layer are especially considered. Some results of CoolMOS characteristic simulations with the use of Infineon macromodels devoted to SPICE are given as well. The selected SPICE characteristics are compared with results of measurements or catalogue characteristics what makes it possible to estimate the usefulness of these macromodels.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor CoolMOS; właściwości; wyniki symulacji

EN

CoolMOS transistor; specificity; results of simulations

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 12
• Strony: 9--14
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski J.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska, Gdynia

Bibliografia

• [1] P. Shenoy. B. Baliga: The Planar 6H-SiC ACCUFET: A new High-Voltage Power MOSFET Structure, IEEE El. Dev. Lett., vol. 18, N. 12, Dec. 1997, pp. 589-591.
• [2] D. Peters et al.: Electrical performance of triple implanted vertical silicon carbide MOSFETs with low on-resistance. ISPSD'99 Toronto 1999, pp. 103-106.
• [3] L. Lorenz, M Marz, G. Debory. CooIMOS - An Important Milestone Towards a New Power MOSFET Generation. PCIM'98, pp. 151-160.
• [4] L. Lorenz et al.: Drastic Reduction ON-Resistance with Cool-MOS. PCIM Europe ISSUE 5/1998, pp. 250 - 258.
• [5] L. Lorenz et al.: CoolMOSTm - A New Milestone in High Voltage Power MOS. Proc. ISPSD'99, Toronto 1999, pp. 3-10.
• [6] P. Shenoy. A. Bhalla, G. Dolny. Analysis of the Effect of Charge Imbalance on the Static and Dynamic Characteristic of the Super Junction MOSFET. ISPSD'99, Toronto 1999, pp. 99-102.
• [7] Y. Kawaguchi et al.: Predicted Electrical Characteristics of 4500 V SuperMulti-Resurf MOSFETs. ISPSD'99, Toronto 1999, pp. 95-98.
• [8] M. Puerschel, I. Zverev: CooIMOS-C2 Optimised to be the Fastest High Voltage Switch. PCIM Europe 8/9 2000, pp. 24-26.
• [9] L. Lorenz CooIMOS Technology - Outstanding Prospects Towards Idealized Power Semiconductor Swich. EPE Journal vol. 10, n° 1, April 2000, pp. 11-16.
• [10] G. Deboy et al.: CoolMOSTm C3 - a Further Step Towards the Ideal Switch. PCIM'01, Monachium 2001.
• [11] B. Zhang, Z. Xu. A. Huang: Analysis of the Forward Biased Safe Operating Area of the Super Junction MOSFET. ISPSD '2000, pp. 1-4.
• [12] Pspice Libraries for CoolMOS Power Transistors. Publikacja Infineon Technologies AG http://www.infineon.com.
• [13] I. Zverev, J. Hancock: CooIMOS Selection Guide. Application No-te AN-CooIMOS-02, Published by Infineon Technologies AG Ju¬ne 2000.