Bardzo wysoka próżnia w aspekcie techniki epitaksji z wiązek molekularnych

• Autorzy: Marks J.

Warianty tytułu

EN

Ultra high vacuum in molecular beam epitaxy

• Konferencja: II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

The technology of thin films growth by molecular beam epitaxy can be realized by two methods: Solid Source MBE and Gas Source MBE. The main differences of these two methods consist in the quality and quantity of gases (vapors) flowing through the vacuum system of MBE equipments during crystal growth. The conditions of the preservation of MBE advantages: non-disturbing transport of mass from source in the direction of substrate and low concentration of the impurities in gaseous phase are discussed. The ability of various UHV pumps to longtime pumping of high fluxes of gases and vapors are also discussed. Some examples of in situ control of the gas phase during NH3-MBE processes by quadrupole mass spectrometer are shown including leak detection, degassing, growth of GaN films and oxygen impurity control.

Słowa kluczowe

PL

techniki MBE; wymagania; układy pompowe

EN

techniques MBE; demand; pump matches

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 8-9
• Strony: 97--102
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Marks J.

• Instytut Technologii Próżniowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] K. G. Gunther. Z. Nat. Forsch., vol.13, (1958), 1081
• [2] M. A. Herman, H. Sitter. Molecular Beam Epitaxy (Springer Series in Materials Science vol. 7), Springer, Berlin and Heidelberg, 1989
• [3] E. H. C. Parker The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, Plenum Press, New York, 1985.
• [4] M. Kamp, H. Reichert MRS Internet. J. of Nitride Semicond. Res., B2.8,1999.
• [5] J. Groszkowski: Technika Wysokiej Próżni, WNT, Warszawa, 1972
• [6] S. Dushman: Scientific Foundation of Vacuum Technique, J. Wiley, New York, 1962
• [7] M. Mesrine, N. Grandjean, J. Massies: Appl. Phys. Lett., 72 (3), 350, 1998
• [8] J. Marks, I. Grzegory, B. Pastuszka, R. Diduszko: Homoepitaksjalny wzrost GaN metodą MBE, sprawozdanie wewnętrzne ITP., 1999
• [9] R. G. Wilson, F. A. Stevie, C. W. Magee: Secondary Mass Specrometry — A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis, J. Wiley, New York, 1989
• [10] J. Marks, J. Mirowski, J. Sadowski: Zastosowanie kwadrupolowych spektrometrów w badaniach naukowych i technologii, Referat na I Kongresie Polskiego Towarzystwa Próżniowego, Kraków, 1998 (nie publikowany).
• [11] J. Mirowski: Kwadrupolowy spektrometr mas QSM300/40, Materiały I Kongresu Polskiego Towarzystwa Próżniowego. Wydawnictwo UJ, ISBN 83-233-1198-6, str. 105.
• [13] J. Marks, I. Grzegory, B. Pastuszka, R. Diduszko: Homoepitaksjalne warstwy GaN wytworzone metodą NH3 MBE, VII Konferencja Naukowa Technologii Elektronowej ELTE 2000, Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, ISBN 83-914886-0-8, str. 230.
• [14] J. Marks: Politechnika Warszawska-PraceNaukowe-Elektronika, zeszyt 123, str.7, 1999
• [15] SRS RGA® wersja 2.1 — oprogramowanie spektrometru mas RGA 100/200 f-my Stanford Research Systems (USA).