Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Wyznaczenie rozkładu gęstości stanów powierzchniowych i położenia poziomu Fermiego na powierzchni (100) InP metodą fotoluminescencyjną
Konferencja
II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
Języki publikacji
Abstrakty
The energy distribution of the surface state density NSS(E) on the chemically polished n-type InP (100) surface was determined from a rigorous computer analysis of the band-to-band photoluminescence efficiency (ϒ PL) versus excitation light intensity (θ). We obtained a very good modelling of the experimental ϒ PL-θ spectrum, taken from the literature, which exhibited a strong increase of ϒ PL. The theoretical values of ϒ PL were calculated using a numerical simulator taking account of all possible recombination processes in a bulk and via surface states. Due to an optimised fitting realised by means of a novel fully-computer procedure based on Genetic Algorithm, we determined the U-shaped NSS(E) distribution as well as the values of surface state cross sections for capturing electrons (σn) and holes (σp). In addition, we analysed the behaviour of the quasi-Fermi levels (EFn, EFp) on the surface and profiles of the radiative recombination velocity (Urad) under increasing excitation intensity.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
76--78
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Department of Microelectronics, Institute of Physics, Silesian University of Technology, Gliwice, Poland, adamowic@zeus.polsl.gliwice.pl
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0003-0035