Obróbka powierzchni (100) GaSb w związkach zawierających siarkę

• Autorzy: Papis E. , Piotrowska A. , Piotrowski T. T. , Kamińska E. , Gołaszewska K. , Kudła A. , Pankowski P. , Szade J. , Winiarski A.

Warianty tytułu

EN

Sulfide treatment of (100) GaSb surface

• Konferencja: II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

The influence of sulfide treatments of the (100) GaSb surface have been investigated. Sulfide passivating layers have been prepared by chemical and electrochemical process using 1M Na₂S, 21% (NH₄)₂S, 0,3 M (NH₂)₂CS aqueous and alcohol solutions. Spectroscopic elipsometry (ES), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM) were used to characterize of the superficial sulfide layers. Our results show that sulfide pretreatment in 1M Na₂S in isopropanol and annealing under flowing H₂ (T= 640°C, t = 1 h) is the best technique of surface preparation of GaSb substrate prior to epitaxy (the thickness of superficial oxide layer is about d = 0,8 nm with minimal surface roughness d= 0,23 nm.

Słowa kluczowe

PL

obróbka powierzchni GaSb; badania porównawcze; roztwór wodny; roztwór alkoholowy

EN

processing of surface GaSb; comparative research; water solution; alcoholic solution

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 8-9
• Strony: 41--44
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Papis E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Piotrowska A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Piotrowski T. T.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kamińska E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Gołaszewska K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kudła A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Pankowski P.

• Instytut Fizyki PAN, Warszawa

autor

Szade J.

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Śląski, Katowice

autor

Winiarski A.

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Śląski, Katowice

Bibliografia

• [1] E. Papis et al.: Vacuum, 2000, 57, 171.
• [2] A. Salesse et al.: Semicond. Sci. Technol., 1997, 12, 413.
• [3] V. Bessolov,E. Konenkova, M. Lebedev: J. Vac. Sci. Technol., 1996, 14, 2761.
• [4] C. L. Lin, Y. K. Su, T. S. Se: Jpn. J. Appl. Phys., 1998, 37, L1543.