Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb

• Autorzy: Piskorski M. , Papis E. , Gołaszewska K. , Piotrowski T. T. , Piotrowska A. , Barcz A. , Zieliński M. , Adamczewska J. , Sawicki M.

Warianty tytułu

EN

Growth and characterization of quaternary layers on GaSb substrates

• Konferencja: II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

Quaternary compounds grown on GaSb substrates are very attractive materials for IR applications. Ga_1-xJn_xAS_ySb_1-y are used as active layers in emitters and detectors, for mid infrared region, whereas Ga_1-xAl_xAS_ySb_1-y compounds are usefull materials for low refractive index cladding layers in DH lasers and for wide gap window layer in photodetectors operating at wavelengths up to 2,4 um. Among various techniques of growing epitaxial layers of III—V semiconductors, liquid phase epitaxy (LPE) still remains interesting method due to its simplicity and satisfactory results.

Słowa kluczowe

PL

GaSb; procedura eksperymentalna; wyniki

EN

GaSb; experiment procedure; results

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 8-9
• Strony: 29--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Piskorski M.

autor

Papis E.

autor

Gołaszewska K.

autor

Piotrowski T. T.

autor

Piotrowska A.

autor

Barcz A.

autor

Zieliński M.

autor

Adamczewska J.

autor

Sawicki M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa,