Procesy rekombinacji promienistej w cienkich warstwach ZnSe hodowanych metodą epitaksji warstw atomowych

• Autorzy: Godlewski M. , Guziewicz E. , Szczerbakov A. , Godlewski M. M. , Phllips M. R.

Warianty tytułu

EN

Radiative recombination processes in thin films of ZnSe grown by atomic layer epitaxy

• Konferencja: II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

Monocrystalline films of sphaierite-type ZnSe are produced on Ga-As (100) substrates from elemental Zn and Se precursors by atomic layer epitaxy in a gas flow system (ALE-GF). These films show very flat surfaces and very good spectral properties. Bright blue-color excitonic „edge" photoluminescence (PL) emission, characteristic of good quality samples, is observed up to the room temperature. The „parasite" red PL emission, coming from the ZnSe/GaAs interface region, is also observed. The blue and red band PL emissions, when observed together, give an impression of a white color light. The high brightness of such white color PL emission makes ALE-grown ZnSe layers good candidates as e.g. backlighting electroluminescence devices for produced at large scale liquid crystal displays.

Słowa kluczowe

PL

LED; układy eksperymentalne; pasma CL/PL

EN

LED; pilot matches; threads CL/PL

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 8-9
• Strony: 26--28
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Godlewski M.

autor

Guziewicz E.

autor

Szczerbakov A.

autor

Godlewski M. M.

autor

Phllips M. R.

• Instytut Fizyki, Polska Akademia Nauk, Warszawa,