Azotek galu : nowy rozdział w badaniach powierzchniowej struktury elektronowej półprzewodników

• Autorzy: Kowalski B. J. , Iwanowski R. J. , Kopalko K. , Orłowski B. A. , Sadowski J. , Kanski J. , Pluciński Ł. , Johnson R. L. , Grzegory I. , Porowski S.

Warianty tytułu

EN

Gallium nitride : a new chapter in investigation of surface electronic structures of semiconductors

• Konferencja: II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

The results of investigations of the (0001) (N-polar) surface of GaN bulk crystals are presented together with a brief review of the knowledge about GaN surface electronic structure accumulated up to the present. The band structure of GaN(0001) - (1 x 1) in the directions G-A and G-K has been analysed on the grounds of the data obtained by means of angle-resolved photoemission spectroscopy. The proposed interpretation of the results is shown to be consistent with the available results of calculations based on the model of the GaN(0001) - (1 x 1):Ga surface.

Słowa kluczowe

PL

wyniki; badania powierzchniowe; azotek galu; półprzewodniki

EN

results; surface research; gallium nitride; semiconductors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 8-9
• Strony: 23--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 25 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kowalski B. J.

autor

Iwanowski R. J.

autor

Kopalko K.

autor

Orłowski B. A.

autor

Sadowski J.

autor

Kanski J.

autor

Pluciński Ł.

autor

Johnson R. L.

autor

Grzegory I.

autor

Porowski S.

• Instytut Fizyki, Polska Akademia Nauk, Warszawa