Ferromagnetyzm cienkich warstw i supersieci GaMnAs/GaAs

• Autorzy: Sadowski J. , Kanski J. , Karlsteen M. , Svedlindh P. , Mathieu R. , Domagała J. Z. , Bąk-Misiuk J.

Warianty tytułu

EN

Ferromagnetism in GaMnAs layers and GaMnAs/GaAs superlattices

• Konferencja: II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

GaMnAs is a semiconductor exhibiting low temperature (below 110 K) ferromagnetic phase transition caused by interactions of carriers (holes) with Mn spins. The paper presents properties of thin GaMnAs layers with Mn conaAs spacer. This dependence is presented for structures with two different thickness of GaMnAs layers - 12 and 16 molecular layers (34 Å and 45 Å). In both cases the ferromagnetism in GaMnAs/GaAs superlattice structures was not observed ofor GaAs spacer layer thickness bigger than 9 molecular layers (25 A). This is tentatively explained by the thickness dependent profile of concentration of carriers (holes) in GaMnAs.

Słowa kluczowe

PL

GaMnAs; ferromagnetyzm; supersieci GaMnAs/GaAs; właściwości

EN

GaMnAs; specificity; GaMnAs/GaAs superlattices; ferromagnetism

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 8-9
• Strony: 7--11
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., wykr.

Twórcy

autor

Sadowski J.

autor

Kanski J.

autor

Karlsteen M.

autor

Svedlindh P.

autor

Mathieu R.

autor

Domagała J. Z.

autor

Bąk-Misiuk J.

• MAX-Lab. Lund University, Sweden