Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Ferromagnetism in GaMnAs layers and GaMnAs/GaAs superlattices
Konferencja
II Kongres Towarzystwa Próżniowego ; 13-17.05.2001 ; Warszawa, Polska
Języki publikacji
Abstrakty
GaMnAs is a semiconductor exhibiting low temperature (below 110 K) ferromagnetic phase transition caused by interactions of carriers (holes) with Mn spins. The paper presents properties of thin GaMnAs layers with Mn conaAs spacer. This dependence is presented for structures with two different thickness of GaMnAs layers - 12 and 16 molecular layers (34 Å and 45 Å). In both cases the ferromagnetism in GaMnAs/GaAs superlattice structures was not observed ofor GaAs spacer layer thickness bigger than 9 molecular layers (25 A). This is tentatively explained by the thickness dependent profile of concentration of carriers (holes) in GaMnAs.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
7--11
Opis fizyczny
Bibliogr. 15 poz., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- MAX-Lab. Lund University, Sweden
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0003-0011