Badanie wpływu modyfikacji procesu nanoszenia w obecności wiązki jonów (IBAD) na wzrost warstw - symulacje metodą Monte Carlo

• Autorzy: Oleszkiewicz W. , Romiszowski P.

Warianty tytułu

EN

The influence of the modification of the deposition process parameters (IBAD) on the growth of the films a Monte Carlo simulation study

• Konferencja: Techniki Jonowe. 7 Ogólnopolskie Seminarium ; 28.02-02.03.2001 ; Szklarska Poręba, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeprowadzono symulację wzrostu warstw nanoszonych w procesie IBAD metodą Monte Carlo. Zbadano wpływ parametrów procesu osadzania na właściwości warstw. Symulacje prowadzono na siatce kubicznej prostej (simple cubic), w węzłach której lokują się nanoszone cząstki. Jednocześnie wprowadzono możliwość zmiany struktury wewnętrznej w czasie trwania procesu osadzania. Otrzymane wyniki wskazują, że morfologia warstw zależy istotnie od kąta padania wiązki jonów, energii kinetycznej cząstek docierających do podłoża, proporcji natężenia strumienia jonów i atomów w procesie oraz rodzaju profilu powierzchni. Odpowiedni dobór tych parametrów pozwala na optymalizację właściwości warstw.

EN

A Monte Carlo simulation model of the ion-assisted deposition process (IBAD) has been used in order to investigate the influence of some process parameters on the final quality of the thin films. The simulations were performed on a simple cubic lattice on which the particles were located. The mechanism of internal rearrangements of deposited adatoms has been introduced into the model. The results show that the angle of ion beam as well as the kinetic energy particles, ion-to-atom arrival ratio (IAR) and the roughness of the substrate play an important role in the quality of obtained films. Also the influence of the parameters on morphology of the films has been discussed.

Słowa kluczowe

PL

metoda Monte Carlo; symulacje; proces nanoszenia

EN

Monte Carlo method; simulation; process of drawing

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 7
• Strony: 25--27
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Oleszkiewicz W.

autor

Romiszowski P.

• Instytut Techniki Mikrosystemów, Politechnika Wrocławska, Wrocław,