Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Ion beam, chemical etching and photoluminescence measuring methods for defect developing in Si:O annealed under high hydrostatic pressure
Języki publikacji
Abstrakty
Defekty ujawniano na powierzchni mechanicznego szlifu skośnego w próbkach monokrystalicznego krzemu implantowanych jonami O+, a następnie poddanych obróbce termicznej w temperaturze 1130°C w warunkach podwyższonego ciśnienia hydrostatycznego argonu (do 15 kbar). Po selektywnym trawieniu w roztworze Yanga próbki Si:O poddano trawieniu wiązką jonów argonu. Porównano zdjęcia mikroskopowe defektów ujawnionych chemicznie widocznych przed i po trawieniu wiązką jonów. Jako dodatkowy wskaźnik występowania defektów w warstwach implantowanych potraktowano widma fotoluminescencyjne.
Structural deffects were developed on the surface of slant microsection for the specimens of monocrystaline silicon implanted with O+ ions and annealed at the temperature 1130°C under hydrostatic argon pressure up to 15 kbar. After selective chemical etching in Yang solution the speciments were etched with argon ion beam. The influence of ion etching on the relief after selection chemical etching were studed in SEM. Photoluminescence characteristic were treated as suplementary information about the quality of crystallographic structure. The results are presented in table form and illustrated with pictures.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
14--15
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., wykr.
Twórcy
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0002-0079
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.