Własności wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach

• Autorzy: Michalak S.

Warianty tytułu

EN

Basic properties of bipolar Si transistors in low temperature

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano wyniki badań dotyczących podstawowych właściwości popularnych krzemowych tranzystorów biopolarnych w zakresie temperatur 300..77K. Przedstawiono wybrane parametry tranzystora takie jak współczynnik wzmocnienia prądowego, napięcie baza-emiter oraz charakterystyki kolektorowe w temperaturze ciekłego azotu. Opisano wpływ zmian tych parametrów na dobór punktu pracy wzmacniacza tranzystorowego.

EN

In this paper properties of popular bipolar Si transistors in low temperature (300..77K) was described. Especially basic properties, such as base-emitter voltage. Current gain and collector characteristic in liquid nitrogen was shown.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory bipolarne; właściwości; wyniki badań

EN

bipolar transistors; specificity; results of research

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 6
• Strony: 21--23
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Michalak S.

• Instytut Elektroniki i Telekomunikacji, Politechnika Poznańska, Poznań,