Projektowanie i technologia laserów półprzewodnikowych dużej mocy

• Autorzy: Mroziewicz B. , Maląg A.

Warianty tytułu

EN

Design and development of high power semiconductor lasers

• Konferencja: Technologia Elektronowa. 7 Konferencja Naukowa ; 18-20.09.2000 ; Polanica Zdrój, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Liczne zalety laserów półprzewodnikowych dużej mocy powodują, że znajdują one coraz szersze zastosowanie zarówno jako bezpośrednie źródła promieniowania quasi-spójnego, jak i pompy optyczne służące do wzbudzania laserów na ciele stałym. W referacie przedstawiono wybrane wyniki badań nad szerokokontaktowymi laserami SCH z falowodem grzbietowym, emitującym w paśmie 808 nm. Lasery te wytwarzane były z heterostruktur AlGaAs/GaAs otrzymywanych metodą MO CVD i zawierających pojedynczą studnię kwantową (SQW) lub wielokrotne studnie kwantowe (MQW). Odpowiednio do konstrukcji, lasery montowano na miedzianych chłodnicach jako pojedyncze chipy lub jako linijki o długości 10 mm. W referacie omówiono wybrane zagadnienia dotyczące projektowania oraz wytwarzania laserów, o których mowa jak również niektóre właściwości takich laserów wykonanych w ramach serii modelowych.

EN

High power semiconductor lasers find continually increasing applications both as direct sources of quasi-coherent light beams and as optical pumps for solid state lasers. In the paper we present some selected results attained in the course of the work on development of 808 nm, high power broad-contact SCH lasers with a ridge-waveguide structure. The lasers were fabricated from MO CVD grown AlGaAs/GaAs heterostructures that comprised either single-(SQW) or multi- (MQW) quantum wells. Accordingly, they were mounted in form of single chips and 10 mm long bars on copper heat sinks. Selected topics related to laser design and fabrication, as well as some properties of the produced devices are described.

Słowa kluczowe

PL

lasery półprzewodnikowe dużej mocy; projektowanie

EN

power semiconductor lasers; design

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 2
• Strony: 38--39

Twórcy

autor

Mroziewicz B.

autor

Maląg A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa,