Dielektryki bramkowe dla nowych generacji układów scalonych

• Autorzy: Łukasiak L. , Jakubowski A. , Beck R. B. , Wojtkiewicz A. , Korwin-Pawłowski M. , Rużyłło J.

Warianty tytułu

EN

Gate dielectrics for new generations of integrated circuits

• Konferencja: Technologia Elektronowa. 7 Konferencja Naukowa ; 18-20.09.2000 ; Polanica Zdrój, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wpływ redukcji grubości tlenku bramkowego w przyrządach MOS na ich działania, wytwarzanie oraz charakteryzację. Przedyskutowano także zalety rozwiązania polegającego na zastąpieniu SiO₂ materiałem o wyższej przenikalności elektrycznej w formie dielektryku pojedynczego lub podwójnego.

EN

The paper presents the consequences of the reduction of gate oxide thickness in MOS devices on their operation, manufacturing and characterization. The advantages of replacing SiO₂ with high-k materials (in the form of both single and stacked dielectric) are discussed, too.

Słowa kluczowe

PL

dielektryki; układ scalony

EN

dielectric; matches integrated

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 2
• Strony: 27--29
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Łukasiak L.

autor

Jakubowski A.

autor

Beck R. B.

autor

Wojtkiewicz A.

autor

Korwin-Pawłowski M.

autor

Rużyłło J.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska,