Analiza wpływu parametrów kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora MOS

• Autorzy: Łukasiak L. , Jakubowski A.

Warianty tytułu

EN

Investigation of the influence of SiGe channel parameters on the C-V characteristics of a MOSCAP

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zbadano wpływ parametrów kanału SiGe (zawartość Ge, grubość warstwy SiGe) na charakterystyki C-U kondensatora MOS za pomocą symulacji z użyciem pakietu ATLAS/BLAZE oraz nowego modelu niskoczęstotliwościowej pojemności badanej struktury.

EN

The influence of SiGe channel parameters (Ge content and SiGe layer thickness) on the C-V characteristics of a MOS capacitor is investigated using ATLAS/BLAZE simulations and a new model of LF capacitance of the considered structure.

Słowa kluczowe

PL

charakterystyki C-U; kanał SiGe; kondensator MOS; krzemogerman

EN

C-V characteristics; MOS capacitor; SiGe; SiGe channel

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 57--58
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Łukasiak L.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Jakubowski A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Badcock S.G., O’Neill A.G., Chester E.G.: Device and circuit performance of SiGe/ Si MOSFETs. Solid-State Electron., vol. 46, p. 1925,2002.
• [2] ATLAS User’s Manual, Silvaco, Feb. 2002.
• [3] Kingston R.H., NeustadterS. F.: Calculation of the space-charge, electric field and free carrier concentration at the surface of a semiconductor. J. Appl. Phys., vol. 26, p. 718, 1955.
• [4] Tsuchija T., Imada Y., Murata J.: Direct measurement of trap density in a SiGe/ Si hetero-interface and correlation between the trap density and low-frequency noise in SiGe-channel pMOSFETs. IEEE Trans. Electron Dev., vol. 50, p. 2507, 2003.