Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS

• Autorzy: Leśko M. , Przewłocki H.

Warianty tytułu

EN

Investigation of the influence of temperature on electrical parameters of MOS devices

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zamieszczono wyniki badań zależności podstawowych parametrów elektrycznych struktur MOS od temperatury. Mierzone struktury różniły się od siebie parametrem R, definiowanym jako stosunek obwodu bramki do jej powierzchni. Wyniki badań wykazały silną zależność napięcia płaskich pasm U_FB i napięcia przecięcia U_x od wartości parametru R i od temperatury.

EN

In this paper we present results of our investigation of the dependence of basic electrical parameters of MOS devices on temperature. The measured structures differed widely in their perimeter to area ratio R. Measurement results indicate strong dependence the flat-band voltage V_FB and the crossover voltage V_x on the R value and on the temperature.

Słowa kluczowe

PL

struktura MOS; napięcie płaskich pasm; naprężenia mechaniczne; temperatura; napięcie przecięcia

EN

MOS structure; flat-band voltage; mechanical stress; temperature; crossover voltage

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 56--57
• Opis fizyczny: Bibliogr. 1 poz., wykr.

Twórcy

autor

Leśko M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Przewłocki H.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• 1. Przewłocki H.M., Kudła A., Brzezińska D., Massoud H.Z.: Distribution of the contactpotential difference local values over the gate area of MOS structures. Microelectronic Engineering, vol. 72, pp. 165-173, 2004.