Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Investigation of the influence of temperature on electrical parameters of MOS devices
Konferencja
Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Zamieszczono wyniki badań zależności podstawowych parametrów elektrycznych struktur MOS od temperatury. Mierzone struktury różniły się od siebie parametrem R, definiowanym jako stosunek obwodu bramki do jej powierzchni. Wyniki badań wykazały silną zależność napięcia płaskich pasm UFB i napięcia przecięcia Ux od wartości parametru R i od temperatury.
In this paper we present results of our investigation of the dependence of basic electrical parameters of MOS devices on temperature. The measured structures differed widely in their perimeter to area ratio R. Measurement results indicate strong dependence the flat-band voltage VFB and the crossover voltage Vx on the R value and on the temperature.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
56--57
Opis fizyczny
Bibliogr. 1 poz., wykr.
Twórcy
autor
- Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa
autor
- Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa
Bibliografia
- 1. Przewłocki H.M., Kudła A., Brzezińska D., Massoud H.Z.: Distribution of the contactpotential difference local values over the gate area of MOS structures. Microelectronic Engineering, vol. 72, pp. 165-173, 2004.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0064