Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturze AIGaN/GaN/Al2O3

• Autorzy: Pasecki T. , Kośnikowski W.

Warianty tytułu

EN

Computer modelling of devices base on AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructure

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Modelowano tranzystor HFET oparty na heterostrukturze AlGaN/GaN/AI₂O₃ z uwzględnieniem wpływu polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej w naprężonej warstwie AlGaN. Polaryzacja warstwy AIGaN pozwala na konstruowanie niedomieszkowanych HFET. Badano wpływ polarności warstw na działanie przyrządu. Jedynie wartswy o polarności galowej okazały się przydatne do konstrukcji HFET. Uwzględniono specjalne metody obniżania koncentracji elektronów.

EN

HFET based on AlGaN/GaN/AI₂O₃ heterostructure have been modelled. Influence of spontaneous and piezoelectric polarisation effect in strained AlGaN layer was included in modelled structures. Polarisation of AlGaN layer allows building undoped HFET. Influence of AIII-N layers polarity on device performance was modelled. Only Ga-face structures appeared suitable for HFET construction. Models took into account special methods of lowering intrinsic electron concentration as it is crucial for proper device performance.

Słowa kluczowe

PL

modelowanie; HFET; 2DEG; GaN; AlGaN; heterostruktura; polaryzacja piezoelektryczna; polaryzacja spontaniczna; polarność

EN

modelling; HFET; 2DEG; GaN; AIGaN; heterostructure; piezoelectric polarisation; spontaneous polarisation; polarity; transistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 50--51
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Pasecki T.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kośnikowski W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Ambacher O. et al.: J. Appl. Phys., vol. 87, pp. 334-344, 2000.
• [2] Bemardini F. et al.: Phys. Rev. В, vol. 56, pp. 10024, 1997.
• [3] Polyakov A. Y., Shin M.: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., vol., art. 36, 1996.
• [4] Kośnikowski W., Piasecki T.: Optica Applicata, Vol XXXII, No. 3, pp. 485-491, 2002.
• [5] Zhang W. et al.: Appl. Phys. Letters, vol. 78, pp. 772-774, 2001.
• [6] Paszkiewicz R. et al.: J. Crystals Growth, vol. 248, pp. 487-493, 2003.