Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs

• Autorzy: Małachowska-Podsiadło E. , Mączka M.

Warianty tytułu

EN

Electron states of a single electron transistor formed in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opisano stany elektronowe tranzystora jednoelektronowego (SET), formowanego w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs. Stany elektronowe są samouzgodnionymi rozwiązaniami równania Schrodingera w przybliżeniu Hartree. Rozkład potencjału w tranzystorze jest rozwiązaniem równania Poissona, dla danego zestawu napięć polaryzujących strukturę.

EN

In the work we present electron states of a single electron transistor (SET) formed in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure. Electron states are selfconsistent solutions of Schrodinger equation, written within Hartree approximation. Potential distribution through the transistor is the solution of Poisson equation, for a given set of voltages, biasing the structure.

Słowa kluczowe

PL

kropka kwantowa; tranzystor jednoelektronowy; stany elektronowe

EN

quantum dot; single electron transistor; electron states; Hartree approximation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 48--49
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Małachowska-Podsiadło E.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

autor

Mączka M.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

Bibliografia

• [1] Mączka M., Pawłowski S., Kusy A., Machowska-Podsiadło E., Elektronika (XXXIX), nr 4, s. 16-19, 1998.
• [2] Machowska-Podsiadło E., Bugajski M., Pawłowski S., Mat. Konf. ELTE 2000, ss. 541-544, 2000.
• [3] Machowska-Podsiadło E., Bugajski M., Pawłowski S., Acta Phys. Pol. B, vol. 32, no 2, pp. 503-508, 2001.
• [4] Kumar A., Laux S. E., Stern F., Physical Review В, vol. 42, pp. 5166-5175, 1990.