Inteligentny system pomiarowy do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych

• Autorzy: Pawłowski M. , Kamiński P. , Kozłowski R. , Wierzbowski M. , Jankowski S. , Miczuga M.

Warianty tytułu

EN

Intelligent experimental system for characteristation of defect centres in high-resistivity semiconductors

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do badania centrów detektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych w zastosowaniu do półizolującego GaAs. Do tworzenia obrazu struktury defektowej na podstawie pomiaru zaników fotoprądu w szerokim zakresie temperatury wykorzystano procedurę korelacyjną oraz procedurę opartą na odwrotnej transformacji Laplace 'a.

EN

In this paper we present the experimental system for characterisation of defect structure of high-resistivity semiconductors with implementation of intelligent procedures. A new approach is exemplified by studies of defect centres in semi-insulating (SI) GaAs. The defect structure images are created from the photocurrent decay measurements in a wide range of temperatures using the correlation procedure and inverse Laplace transformation algorithms.

Słowa kluczowe

PL

SI; GaAs; centra defektowe; PITS; aproksymacja neuronowa

EN

SI; GaAs; detect centres; PITS; neural approximation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 46--45
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz.

Twórcy

autor

Pawłowski M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Kamiński P.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Kozłowski R.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Wierzbowski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Jankowski S.

• Politechnika Warszawska, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Miczuga M.

• Wojskowa Akademia Techniczna

Bibliografia

• [1] Pawłowski M.: Sol. State Electron., 46, pp. 1879-1885, 2002.
• [2] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Miczuga M.: Proc. SPIE, Crystalline Materials for Optoelectronics, vol. 5136, pp. 59-65, 2003.
• [3] Jankowski S., Wierzbowski M., Kamiński P., Pawlowski M.: Int. J. Mod. Phys. B„ vol. 16, no. 28 & 29, pp. 4449-4454, 2002.
• [4] Kamiński P., Kozłowski R.: Mater. Sci. Eng. B91 -92, pp. 398-402,2002.
• [5] Bourgoin C., von Bardeleben H. J., Mircea A.: J. Appl. Phys. vol. 64, pp. R65-R91, 1999.