PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Trawienie fosforku indu w plaźmie chlorowej metodą ICP

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Etching of indium phosphide by ICP in Cl2 : based plasma
Konferencja
Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Artykuł zawiera opis przeprowadzonych badań w zakresie suchego trawienia fosforku indu (InP) metodą indukcyjnie sprzężonej plazmy (ICP) z zastosowaniem plazmy chlorowej (Cl₂ oraz Cl₂/GH₄/Ar).
EN
The article consist short description about experiments of dry etching of indium phosphide by inductively coupled plasma in Cl₂ based plasma.
Rocznik
Strony
42--43
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., wykr.
Twórcy
autor
  • Instytut Elektroniki, Politechnika Łódzka
autor
  • Instytut Elektroniki, Politechnika Łódzka
  • Instytut Elektroniki, Politechnika Łódzka
  • Instytut Elektroniki, Politechnika Łódzka
  • LEOM Ecole Centrale de Lyon, Francja
Bibliografia
  • [1] Daniel L. Flamm, G. Kenneth Herb: Plasma Etching Technology - An Overview, 2003.
  • [2] Etrillard J., Heliot F., Ossart P., Juhel M., Patriarchę G., Carcenas P., Vieu C., Puech M., Makuin P.: Sidewall and surface induced damage comparison between reactive ion etching and inductive plasma etching of InP using a CH4/H2/O2 gas mixture. J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1056, 1996.
  • [3] Turala A.: Dry etching of Indium Phosphide by inductively coupled plasma. Praca magisterska, Politechnika Łódzka, Ecole Centrale de Lyon, 2002.
  • [4] Ruta Ł.: Dry etching of Indium Phosphide by inductively coupled plasma. Praca magisterska, Politechnika Łódzka, Ecole Centrale de Lyon, 2003.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0057
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.