Badanie centrów defektowych w kryształach półizolującego InP metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej z zastosowaniem odwrotnej transformaty Laplace'a

• Autorzy: Pawłowski M. , Kozłowski R. , Kamiński P. , Wierzbowski M. , Jankowski S.

Warianty tytułu

EN

Investigation of defect centres in semi-insulating InP crystals by photoinduced transient Laplace spectroscopy

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Metoda niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej z zastosowaniem analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu, opartej na odwrotnej transformacie Laplace'a, została zastosowana do badania struktury defektowej domieszkowanych atomami Fe i niedomieszkowanych półizolujących kryształów InP.

EN

Photoinduced transient Laplace spectroscopy has been applied to study defect centres in Fe-doped and undoped sem-insulating InP. The parameters of defect centres have been extracted from experimental data using a neural network approximation.

Słowa kluczowe

PL

PITS; SI; InP; centra defektowe

EN

PITS; SI; InP; defect centres

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 41--42
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il.

Twórcy

autor

Pawłowski M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
• Wojskowa Akademia Techniczna, Warszawa

autor

Kozłowski R.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Kamiński P.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Wierzbowski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Jankowski S.

• Politechnika Warszawska, Instytut Systemów Elektronicznych

Bibliografia

• [1] Kamiński P., Kozłowski R.. Strzelecka S. and Piersa M.: J. Phys.: Condens. Matter vol. 16, pp. 225-233, 2004.
• [2] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R. and Miczuga M.: Proc. SPIE, Crystalline Materials for Optoelectronics, vol. 5136, pp. 59-65, 2003.
• [3] Jankowski S., Wierzbowski M., Kamiński P. and Pawłowski M.: Int. J. Mod. Phys. В., vol. 16, no. 28&29, pp. 4449-4454, 2002.
• [4] Kamiński P., Pawłowski M., Kozłowski R., Surma B., Dubecky F., Yamada M., Fukuzawa M.: The European Physical Journal - Applied Physics, 2004 (w druku).