Analiza profilowa SIMS półprzewodnikowych struktur laserowych

• Autorzy: Ćwil M. , Konarski P.

Warianty tytułu

EN

SIMS depth profile analysis of semiconductor laser structures with Ar+ ion beam

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaprezentowano analizy profilowe struktur laserowych otrzymanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie. Analizy profilowe wykonano metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS), stosując aparaturę SAJW-05 wyposażoną w kwadrupolowy spektrometr mas oraz wyrzutnię jonów Ar⁺. Stosowano wiązki jonów o energiach 880...5000 eV i różnych kątach padania. Badanie warstwy o grubości 8 nm zawierającej ind, na głębokości 1,59 µm struktury, pozwoliło na uzyskanie głębokościowej zdolności rozdzielczej 7 nm.

EN

Secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analyses of laser structures grown with the use of molecular beam epitaxy (MBE) were performed on SAJW-05 analyzer equipped with quadrupole mass analyzer and electron bombardment ion gun. Argon ion beams of energies 880 eV and 5 keV and various incidence angles were performed. 8 nm thick indium reach layer buried at a depth ot 1.59 µm of a structure resulted in depth profile resolution of 7 nm.

Słowa kluczowe

PL

spektrometria mas jonów wtórnych (SIMS); analiza profilowa; nanostruktury warstwowe

EN

secondary ion mass spectrometry (SIMS); depth profile anaIysis; nanostructures

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 29--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Ćwil M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Laboratorium Aparatury Próżniowej, Warszawa
• Politechnika Warszawska, Wydział Fizyki

autor

Konarski P.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Laboratorium Aparatury Próżniowej, Warszawa

Bibliografia

• 1. Dowsett M.G., Kelly J.H., Rowlands G., Ornsby T.J., Guzman В., Augustus P., Beanland R.: Appl. Surf. Sci. 203-204 (2003) 273.
• 2. Konarski P., Mierzejewska A.: Appl. Surf. Sci. 203-204 (2003) 354.
• 3. Eckstein W.: Nuci. Instrum. Methods В 171 (2000) 435.
• 4. Chand N.. Chu S.N.G.: J. Cryst. Growth 104 (1990) 485.
• 5. Klima K., Kaniewska M., Regiński K., Muszalski J.: Electron Technol. 29 (1996) 147.