Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)

Stęszewski, J.; Jakubowski, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)

Autorzy

Stęszewski J. , Jakubowski A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Modeling I-V characteristics of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFETs

Konferencja

Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)

Języki publikacji

Abstrakty

Za pomocą oprogramowania Silvaco Atlas, na podstawie dostępnych parametrów materiałowych, dokonano symulacji charakterystyk statycznych tranzystorów MOS na podłożu z dwóch heksagonalnych odmian węglika krzemu: 4H oraz 6H.

Static l-V characteristics of 4H- and 6H- MOSFETs (based on available silicon carbide material properties) were simulated using Silvaco Atlas software.

Słowa kluczowe

SiC MOS symulacja charakterystyk I-V węglik krzemu

SiC MOSFET I-V characteristics simulation silicon carbide

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2005

Tom

Vol. 46, nr 2-3

Strony

25--25

Opis fizyczny

Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Stęszewski J.

Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Jakubowski A.

Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

Bibliografia

1. Ruff M., Mitlehner H., Helbig R.: Trans.Electron Devices 1994, vol. 41, 1040-1053.
2. Goldberg Yu et al. NY Willey 2001, 93.
3. Bakowski M., Gustafsson U., Lindefelt U.: Phys Stat Sol (A) 1998, 162:421.
4. Atlas User's Manual, Silvaco, Feb. 2002.
5. Roschke M., Schwierz F.: IEEE Trans Electron Dev. 2001; 48:1442-1447.
6. Khan I. A., Cooper J. A., Jr.: IEEE Trans. Electron Dev., vol. 47, pp. 269-273, 2000.
7. Lebedev A. A.: Semiconductors 33, 2 1999, 107-130.
8. Raghunathan R., Baliga B.J.: Solid-State Electron, vol. 43, pp. 199-211, 1999.
9. Galeskas A., LSiCros J., Grivickas V., Lindefelt U., Hallin C.: Proceedings of the 7th International Conference on SiC, Ill-Nitrides and Related Materials, Aug. 31-Sept. 5, 1997, Sweden 1997, 533-536.
10. Kimoto T, Miyamoto N., Matsunami H.: IEEE Trans. Electron Dev. 46, 3 1999; 471-477.
11. Goldberg Yu., Eds. Levinshtein M. E., Rumyantsev S. L., Shur M.S.: John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 31-47.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0046