GaN : materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach

• Autorzy: Szczęsny A. , Kamińska E. , Piotrowska A. , Szmidt J.

Warianty tytułu

EN

GaN : the material for high power microwave devices (HEMT) working in extreme conditions

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki badań nad procesami wytwarzania kontaktu bramki w tranzystorze HEMT na bazie GaN. Miały one na celu porównanie właściwości bramek Pt i Ru z bramką RuO2. Cienkie warstwy RuO2 powinny być atrakcyjne ze względu na małą rezystywność, wysoką pracę wyjścia i doskonałą stabilność termiczną.

EN

We present the results ot our investigations into fabrication processes ot the gate contact for the GaN-based HEMT transistor. The aim of this work was to compare the properties of Pt and Ru contacts with RuO2 one. Thin RuO2 films demonstrate low resistivity, high electron affinity and excellent thermal stability; hence they are very attractive for high power and high temperature applications.

Słowa kluczowe

PL

kontakty Schottky'ego do GaN; RuO2; HEMT

EN

GaN Schottky contacts; RuO2; HEMT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 16--17
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz.

Twórcy

autor

Szczęsny A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Kamińska E.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Piotrowska A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Szmidt J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• 1. Shur M. S., Gaska R., Bykhovski A., Solid-St. Electron., vol. 43, p. 1451, 1999.
• 2. Jeon C.M., Lee J-L, J. Appl. Phys., vol. 95, p. 698, 2004.
• 3. Kumar V., Lu W., Khan F.A., Schwindt R., Piner E., Adesida I., Electron. Lett., vol. 37, p. 1483, 2001.
• 4. Khan M.R.H., Nakayama H., Detchprohm T., Hiramatsu K., Sawaki N.. Solid-State Electron., vol. 41, p. 287, 1997.
• 5. Monroy E., Phys. Status Solidi A, vol. 188, p. 367, 2001.
• 6. Qiao D., Yu L.S., Lau S.S., J. Appl. Phys., vol. 87, p. 801, 2000.
• 7. Miyagi T., Kamei M., Mitsuhashi T., Yamazaki A., Appl. Phys. Lett., vol. 83, p. 1782, 2003.
• 8. Mattheiss L. F., Phys. Rev. В, vol. 13, p. 2433, 1976.
• 9. Kim Y.T., Lee C.W., Kwak S.K., Appl Phys., vol. 67, p. 807, 1995.
• 10. Krusin-Elbaum L, Wittmer M., J. Electrochem. Soc., vol 135, p. 2610, 1997.
• 11. Rhodreick E.H., Williams R. H., Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon Press, Oxford, 1988.
• 12. Cheung S. К., Cheung N.W., Appl. Phys. Lett., vol. 49, p. 85, 1986.
• 13. Fan Z., Mohammad S. N., Kim W., Aktas ., Botchkarev A. E., Suzue К., Morkoc H., J. Electron. Mat., vol. 25, p. 1703, 1996.