Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
GaN : the material for high power microwave devices (HEMT) working in extreme conditions
Konferencja
Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono wyniki badań nad procesami wytwarzania kontaktu bramki w tranzystorze HEMT na bazie GaN. Miały one na celu porównanie właściwości bramek Pt i Ru z bramką RuO2. Cienkie warstwy RuO2 powinny być atrakcyjne ze względu na małą rezystywność, wysoką pracę wyjścia i doskonałą stabilność termiczną.
We present the results ot our investigations into fabrication processes ot the gate contact for the GaN-based HEMT transistor. The aim of this work was to compare the properties of Pt and Ru contacts with RuO2 one. Thin RuO2 films demonstrate low resistivity, high electron affinity and excellent thermal stability; hence they are very attractive for high power and high temperature applications.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
16--17
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz.
Twórcy
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki
Bibliografia
- 1. Shur M. S., Gaska R., Bykhovski A., Solid-St. Electron., vol. 43, p. 1451, 1999.
- 2. Jeon C.M., Lee J-L, J. Appl. Phys., vol. 95, p. 698, 2004.
- 3. Kumar V., Lu W., Khan F.A., Schwindt R., Piner E., Adesida I., Electron. Lett., vol. 37, p. 1483, 2001.
- 4. Khan M.R.H., Nakayama H., Detchprohm T., Hiramatsu K., Sawaki N.. Solid-State Electron., vol. 41, p. 287, 1997.
- 5. Monroy E., Phys. Status Solidi A, vol. 188, p. 367, 2001.
- 6. Qiao D., Yu L.S., Lau S.S., J. Appl. Phys., vol. 87, p. 801, 2000.
- 7. Miyagi T., Kamei M., Mitsuhashi T., Yamazaki A., Appl. Phys. Lett., vol. 83, p. 1782, 2003.
- 8. Mattheiss L. F., Phys. Rev. В, vol. 13, p. 2433, 1976.
- 9. Kim Y.T., Lee C.W., Kwak S.K., Appl Phys., vol. 67, p. 807, 1995.
- 10. Krusin-Elbaum L, Wittmer M., J. Electrochem. Soc., vol 135, p. 2610, 1997.
- 11. Rhodreick E.H., Williams R. H., Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon Press, Oxford, 1988.
- 12. Cheung S. К., Cheung N.W., Appl. Phys. Lett., vol. 49, p. 85, 1986.
- 13. Fan Z., Mohammad S. N., Kim W., Aktas ., Botchkarev A. E., Suzue К., Morkoc H., J. Electron. Mat., vol. 25, p. 1703, 1996.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0042