Planarne domieszkowanie krzemem naprężonych studni kwantowych InxGa1-xAs/GaAs w technice MOVPE

• Autorzy: Ściana B. , Radziewicz D. , Paszkiewicz B. , Tłaczała M. , Sitarek P. , Kudrawiec R. , Misiewicz J. , Kováč J. , Florovič M.

Warianty tytułu

EN

MOVPE growth of silicon delta doped InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki badań, dotyczące procesów planarnego domieszkowania krzemem naprężonych, pojedynczych studni kwantowych InxGa1-xAs/GaAs w technice MOVPE. Badano wpływ parametrów procesu domieszkowania oraz szerokości studni kwantowej na rozkład domieszki krzemowej. Wprowadzenie domieszki typu delta do studni kwantowej w znaczący sposób zwiększa jej przestrzenne ograniczenie. Ponadto powoduje silną modyfikację przejść optycznych i wzmocniony efekt Starka.

EN

This work presents the studies of Si-δ-doped InxGa1-x As/GaAs strained quantum well obtained by MOVPE technology. The influence of the growth parameters and quantum well width on silicon dopant distribution was investigated. It was shown that introducing delta layer into quantum well gives better carrier confinement. In addition, the PR and PC spectra of Si-δ-doped InxGa1-x As/GaAs SQW confirmed significant modification of the optical transitions and enhanced QCSE.

Słowa kluczowe

PL

domieszkowanie typu delta; technologia MOVPE; pomiary C-U; spektroskopia fotoodbiciowa PR; spektroskopia fotoprądu PC

EN

delta doping; MOVPE technology; C-U measurements; photoreflectance spectroscopy; photocurrent spectroscopy PC

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 14--15
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Ściana B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Radziewicz D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Paszkiewicz B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Sitarek P.

• Politechnika Wrocławska, Instyutut Fizyki

autor

Kudrawiec R.

• Politechnika Wrocławska, Instyutut Fizyki

autor

Misiewicz J.

• Politechnika Wrocławska, Instyutut Fizyki

autor

Kováč J.

• Słowacki Uniwersytet Techniczny, Wydział Mikroelektroniki, Bratysława

autor

Florovič M.

• Słowacki Uniwersytet Techniczny, Wydział Mikroelektroniki, Bratysława

Bibliografia

• 1. Landi S.M., Tribuzy C.V-B., Souza P.L., Butendeich R., Bittencourt A.C., Marques G. E.: Physical Review, vol. B67, 085304-1,2003.
• 2. Schubert E. F., Vac J.: Sci. Technol. A, 8, pp. 2980, 1990.
• 3. Li G., Jagadish C.: Solid-State Electronics, vol. 41, pp. 1207, 1997.
• 4. Ściana B., Radziewicz D., Paszkiewicz B., Tłaczała M., Utko M., Sitarek P., Sęk G., Misiewicz J., Kinder R., Kovac J., Srnanek R.: Thin Solids Films, vol. 412, pp. 55-59, 2002.
• 5. Nowaczyk M., Sęk G., Misiewicz J., Ściana B., Radziewicz D., Tłaczała M.: Thin Solid Films, vol. 380, pp. 243-245, 2000.