Tytuł artykułu
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
In this article a new Multifunctional System for Photoelectric Measurements of Semiconductor Structures (MSPM) is presented. The system enables very accurate photocurrent measurements at levels as low as 10 fA. Measured structures can be biased by sequences of DC voltages and stimulated by light beams of predefined wavelengths and powers. The software controls all the system actions allowing flexibility in retrieving data stored in the related databases.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
1--7
Opis fizyczny
Bibliogr. 18 poz.
Twórcy
autor
- Industrial Institute of Electronics, 00-241 Warsaw, 44/50 Długa Str, Poland
autor
- Industrial Institute of Electronics, 00-241 Warsaw, 44/50 Długa Str, Poland
autor
- Industrial Institute of Electronics, 00-241 Warsaw, 44/50 Długa Str, Poland
autor
- Industrial Institute of Electronics, 00-241 Warsaw, 44/50 Długa Str, Poland
autor
- Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
autor
- Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, Poland
Bibliografia
- 1. E. H. Nicollian, J. Brews, MOS Physics and Technology. Wiley, New York, 1982.
- 2. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, Wiley, New York, 1990.
- 3. R. J. Powell, J. Appl. Phys., 1970, 41, 2424.
- 4. C. N. Berglund, R. J., Powell J. Appl. Phys., 1971, 42, 573.
- 5. R. J. Powell, C. N. Berglund, J. Appl. Phys., 1971, 42, 4390.
- 6. A. Kudla, Doctor’s Thesis Institute of Electron Technology, Warszawa, 1997 (in Polish).
- 7. H. M. Przewłocki, J. Appl. Phys., 1985, 57, 5359.
- 8. D. J. DiMaria, J. Appl. Phys., 1976, 47, 4073.
- 9. V. V. Afanas’ev, M. Houssa, A. Stesmans, M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 3073.
- 10. V. V. Afanas’ev, M. Houssa, A. Stesmans, M. M. Heyns, J. Appl. Phys., 2002, 91, 3079.
- 11. V. K. Adamchuk, V. V. Afanas’ev, Progr. Surf. Sci., 1992, 41, 111.
- 12. R. H. Fowler, Phys. Rev., 1931, 38, 45.
- 13. E. O. Kane, Phys. Rev., 1962, 127, 131.
- 14. R. J. Powell, J. Appl. Phys., 1969, 40, 5093.
- 15. H. M. Przewłocki, J. Appl. Phys., 1995, 78, 2550.
- 16. H. M. Przewłocki, J. Appl. Phys., 1999, 85, 6610.
- 17. H. M. Przewłocki, Solid-State Electron., 2001, 45, 1241.
- 18. H. M. Przewłocki, Electron Technol., 1993, 26, 3.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0018