Temperature dependence of galvanomagnetic properties of undoped n-type GaA/GaAs and n-type InGaAs/InP layers

• Autorzy: Wolkenberg A. , Przesławski T. , Regiński K. , Kaniewski J.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The magnetoresistance (MR) and the Hall-effect measurements in undoped n-type GaAs/GaAs and n-type In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP samples in the temperature range 3.5 ÷ 300 K were carried out. We have obtained magnetoresistance data on the samples of n-type epilayers on SI GaAs and SI InP substrates made MBE technology. Magnetoresistance by measurements in constant magnetic fields vs. temperature are completed. The measurements reveal that the magnetoresisance of the samples strongly depends on the temperature and magnetic field.

• Wydawca: Institute of Electron Technology
• Czasopismo: Electron Technology : Internet Journal
• Rocznik: 2001/2002
• Tom: Vol. 34, nr 1
• Strony: 1--4
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz.

Twórcy

autor

Wolkenberg A.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
• Institute of Materials Engineering, Technical University of Częstochowa, al. Armii Krajowej 19, 420200 Częstochowa, Poland

autor

Przesławski T.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland

autor

Regiński K.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland

autor

Kaniewski J.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland

Bibliografia

• 1. S. A. Alliev, F. P. Kesamanly, S. Lagunova, D. N. Nasledov, phys. stat, sol., 1966, 17, 105-108.
• 2. Ch. Yamanouchi, K. Mizuguchi, W. Sasaki, J. Phys. Soc. Japan, 1967, 22, 859-864.
• 3. T. M. Pekarek, B. C. Crooker, S. Li, M. McElfresh, J. C. P. Chang, D. McInturff, E. S. Harmon, M. R. Melloch, J. M. Woodall, J. Appl. Phys., 1997, 81, 4869-4871.
• 4. Z. Dziuba, T. Przesławski, K. Dybko, M. Górska, J. Marczewski, K. Reginski, Appl. Phys., 1999, 85, 6619-6624.
• 5. J. P. Locquet, J. Perret, J. Fompeyrine, E. Mächler, J. W. Seo, G. Van Tendeloo, Nature, 1998, 394, 453-458.
• 6. V. V. Preobrazenskii, D. I. Lubyshev, K. Regiński, J. Muszalski, Thin Solid Films, 1995, 267, 51-53.
• 7. J. Kaniewski, Z. Orman, J. Piotrowski, K. Regiński, M. Romanis, Proc. SPIE, 2000, 4130, 749-759.
• 8. T. Przesławski, A. Wolkenberg, K. Regiński, J. Kaniewski, J. Bąk-Misiuk, Thin Solid Films, 2000, 367, 232-234.
• 9. N. F. Mott, Phil. Mag., 1969, 19, 835-852.
• 10. W. Sasaki, Phil. Mag., 1985, B52, 427-435.
• 11. P. Sajal, J. B. Roy, P. K. Basu, J. Appl. Phys., 1991, 69, 827-829.
• 12. A. Wolkenberg, T. Przesławski, K. Regiński, J. Kaniewski, Mater. Sci. a. Eng., 2002, B90, 176-179.
• 13. A. Wolkenberg, T. Przesławski, K. Regiński, J. Kaniewski, J. Phys.&Chem. Solids, in press.