Wpływ obudowy na parametry układów scalonych RF

• Autorzy: Szymański A. , Kurjata-Pfitzner E.

Warianty tytułu

EN

Influence of package on parameters of integrated RF circuits

• Konferencja: International Conference of Mixed Design of Circuits and Systems - MIXDES 2004 (11 ; 24-26.06.2004 ; Szczecin, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono oddziaływanie obudowy na układy scalone RF na przykładzie niskoszumnego wzmacniacza LNA i oscylatora sterowanego napięciem VCO na pasmo 2.4 GHz. Zbadano wpływ liczby wyprowadzeń masy na parametry LNA. Stwierdzono, że oddziaływanie obudowy na VCO, powodujące degradację częstotliwości generowanych drgań, może zostać skompensowane poprzez dobranie elementów układu.

EN

The effects of package on parameters of integrated RF circuits on the example of low noise amplifier LNA and voltage controlled oscillator VCO aimed on 2.4 GHz band were presented. The influence of ground pin number on LNA parameters was investigated. Moreover, it was stated that the influence of package on VCO leading to degradation of frequency may be compensated by adjusting circuit elements.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz niskoszumowy; oscylator VCO; układy RF; obudowa

EN

RF circuits; LNA; VCO; package

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 11
• Strony: 23--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz.

Twórcy

autor

Szymański A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kurjata-Pfitzner E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• 1. Sheng W. et al.: A 3-V, 0.35-|xm CMOS Bluetooth Receiver IC. IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 38, no 1, Jan. 2003.
• 2. Kurjata-Pfitzner E.: 2.4-GHz VCO Design with compensation of process variations. El.Technology Internet J., www.ite.waw.pl/etij/, vol. 34, 2002, no. 4.
• 3. Kurjata-Pfitzner E.: Some Practical Aspects of Integrated RF Circuit Design. Case Study -2.4 GHz VCO. Proc. Of the IO1* Int. Conf. MIXDES, 26-28 June 2003, Lodz, Poland, pp. 278-281.
• 4. Schuppener G. et al.: A 5,8 GHz Low Noise Amplifier for Wireless LAN Application in Silicon Bipolar Technology. Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 27, no 1-2, 2001, pp. 127-134.
• 5. Shana’a O. et al.: Frequency Scalable SiGe Bipolar Front-End Design. IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 36, no 6, 2001, pp. 888-895.
• 6. Kurjata-Pfitzner E., Szymański A.: Wybrane problemy projektowania układów RF, (artykuł zakwalifikowany do druku w Elektronice” - mat. ELTE 2004).