Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE

• Autorzy: Zarębski J. , Dąbrowski J.

Warianty tytułu

EN

Nonisothermal d.c. characteristics of the Silicon Carbide Schottky diode simulated by SPICE

• Konferencja: International Conference of Mixed Design of Circuits and Systems - MIXDES 2004 (11 ; 24-26.06.2004 ; Szczecin, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC), z uwzględnieniem efektów termicznych, w programie SPICE. Przedstawiono i szczegółowo opisano elektrotermiczny makromodel diody Schottky'ego SiC dla programu SPICE, opracowany przez firmę Infineon Technologies. Makromodel został zweryfikowany doświadczalnie. Zaproponowano modyfikacje poprawiające jego dokładność.

EN

The paper deals with the problem of SPICE modelling of the class of silicon-carbide (SiC) Schottky diodes with thermal effects (selfheating) taken into account. In the paper the SPICE electrothermal (including selfheating) macromodel of Infineon Technologies SiC Schottky diode is presented and detaily investigated. The considered macromodel has been verified experimentally and some modifications of the macromodel were introduced.

Słowa kluczowe

PL

dioda Schottky'ego; SPICE; modelowanie; model elektrotermiczny; charakterystyki nieizotermiczne

EN

Schottky diode; SPICE; modelling; selfheating; electrothermal model; nonisothermal characteristics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 11
• Strony: 16--19
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz.

Twórcy

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Dąbrowski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• 1. Casady J. B., Johnson R. W.: Status of Silicon Carbide (SiC) as a Wide-Bandgap Semiconductor for High-Temperature Applications: a Review. Solid-State Electronics, vol. 39, no. 10, 1996.
• 2. http://www.grc.nasa.gov/www.sic/sicreview.html: Neudeck P.G.: Recent Progress in Silicon Carbide Semiconductor Electronics, 1995.
• 3. Elasser A., Chow T. P.: Silicon Carbide Benefits and Advantages for Power Electronics Circuits and Systems. Proceedings of the IEEE, vol. 90, no 6, June 2002.
• 4. Johnson C. M.: Recent Progress and Current Issues in SiC Semiconductor Devices for Power Applications. IEE Proc.-Circ. Dev. Syst., vol. 148, no 2, April 2001.
• 5. Cooper J. A., Agarwal A.: SiC Power-Switching Devices - the Second Electronics Revolution? Proc, of the IEEE, vol. 90, no 6, June 2002.
• 6. www.ecn.purdue.edu/WBG/DataBank, „Best Reported WBG Power Device Performance”, Febr. 24, 2003.
• 7. Sugawara Y., Takayama D., Asano K., Singh R., Palmour J., Hayashi T.: 12-19 kV 4H-SiC Pin Diodes with Low Power Loss. International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Osaka 2001.
• 8. http://www.littlewhitedog.com/article1499.html
• 9. http://www.infineon.com: Psice_SiC_L3_2.zip
• 10. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
• 11. Zarębski J.: Modelling of the SiC Schottky Diodes. MME, Lwów 2003.
• 12. Zarębski J., Dąbrowski J.: Symulacje i pomiary węglikowo-krzemowej diody Schottky’ego. Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO, Nidzica 2004.