Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

• Autorzy: Zborowska-Lindert I. , Boratyński B. , Paszkiewicz B. , Ohly T.

Warianty tytułu

EN

Investigation of technology on electrical parameters of optoelectronic devices

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.

EN

Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.

Słowa kluczowe

PL

fotodetektor MSM; mikrobateria fotowoltaiczna; pasywacja powierzchni; warstwy dielektryczne; Si3NOx; AIN; prąd ciemny; napięcie rozwarcia; prąd zwarcia

EN

MSM photodetector; photovoltaic array; surface passivation; dielectric films; Si3NOx; AIN; dark current; open circuit voltage; short circuit current

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 41--43
• Opis fizyczny: Wykr., rys.

Twórcy

autor

Zborowska-Lindert I.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Boratyński B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Paszkiewicz B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Ohly T.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki