Mozaikowy detektor monolityczny z aktywnymi komórkami w technologii SOI

• Autorzy: Domański K. , Grabiec P. , Grodner M. , Jaroszewicz B. , Jasielski J. , Jastrząb M. , Klatka T. , Kozieł M. , Kucewicz W. , Kucharski K. , Kuta S. , Marczewski J. , Niemiec H. , Sapor M. , Tomaszewski D.

Warianty tytułu

EN

Monolithic active pixel detector in SOI technology

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca przedstawia nowe rozwiązanie mozaikowego detektora krzemowego z aktywnymi komórkami, wykonanego na płytkach podłożowych SOI (Silicon On Insulator) [1], wytworzonych metodą wafer-bonding. Prezentowana praca jest częścią projektu SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), realizawanego w ramach 5. Programu Ramowego Komisji Europejskiej.

EN

A novel solution of an active pixel detector, which exploits wafer-bonded Silicon On Insulator (SOI) substrates for integration of the readout electronics with the pixel detector is presented in this paper. The main concepts of the proposed monolithic sensor and the preliminary tests results with ionising radiation sources are addresses. Presented work is a part of the project, called SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), founded by European Commission within 5-th Framework Program.

Słowa kluczowe

PL

detektor krzemowy; elektronika odczytowa; detektor mozaikowy

EN

silicon detector; front-end electronics; pixel detector

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 39--41
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz.

Twórcy

autor

Domański K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Grabiec P.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Grodner M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Jaroszewicz B.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Jasielski J.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Jastrząb M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Klatka T.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Kozieł M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Kucewicz W.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Kucharski K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kuta S.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Marczewski J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Niemiec H.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Sapor M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Tomaszewski D.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Marshall A., Natarajan S.: SOI Design: Analog, Memory and Digital Tech., Kluwer, 2001.
• [2] Caccia M., et al.: Nucl. Phis. B 125 (2003), pp. 133-138.
• [3] Kucewicz W. et al.: Nucl. Instr. and Meth. A 518 (2003), pp. 411-414.
• [4] Amati M. et al.: Nucl. Instr. and Meth. A 511 (2003), pp. 265-270.
• [5] Marczewski J. et al.: Monolithic Silicon Pixel Detectors in SOI technology, submitted to Nuclear Instruments and Methods.