Emisja polowa z nanorurek węglowych osadzonych na podłożach krzemowych

• Autorzy: Kowalska E. , Radomska J. , Czerwosz E. , Kozłowski M. , Diduszko R. , Wronka H.

Warianty tytułu

EN

Field emission from carbon nanotubes grown on silicon substrates

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano wyniki badań właściwości emisyjnych warstw wielościennych nanorurek węglowych (Multiwalled Carbon Nanotubes - MWCNTs), zsyntezowanych metodą CVD (Chemical Vapor Deposition) na gładkich i porowatych podłożach krzemowych Si o orientacji (111). Obserwowano wzmocnienie emisji z warstw CNTs osadzonych na podłożu porowatym w porównaniu z płytką Si o gładkiej powierzchni. Ten efekt może być spowodowany lepszym uporządkowaniem i mniejszą ilością zdefektowanych nanorurek z podłoża porowatego, dla których czynnik wzmocnienia pola elektrycznego B (Beta) ma wiekszą wartość od wartości charakterystycznej dla nanorurek poskręcanych, bardziej zdefektowanych.

EN

The emissive properties of multiwalled carbon nanotube (MWCNT) films, obtained by a chemical vapor deposition (CVD) method on porous and flat Si (111) substrates, were studied in diode vacuum system. The improvement of emissive properties of CNTs grown on porous silicon in comparison with nanotubes grown on a flat Si substrate was observed. The registered effect can be caused by the better aligned, less defected nanotubes (from porous Si wafer), for which a field enhancement factor (is higher than for tubes randomly arranged (flat Si).

Słowa kluczowe

PL

nanorurki węglowe; emisja polowa; metoda CVD; podłoża SI

EN

carbon nanotube; emissive properties; CVD method; Si substrates

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 35--36
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz.

Twórcy

autor

Kowalska E.

autor

Radomska J.

autor

Czerwosz E.

autor

Kozłowski M.

autor

Diduszko R.

autor

Wronka H.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Dai H., Hafner H., Rinzler A. G., et al.: Nature, vol. 384, pp. 147-152, 1996.
• [2] Kong J., Franklin N. R., Zhou Ch., et al.: Science, vol. 287, pp. 622, 2000.
• [3] Saito Y., Hamaguchi K., Uemura S., et al.: Appl. Phys. A, vol. 67, pp. 95, 1998.
• [4] Choi W. B., Chung D. S., Kang J. H. et al.: Appl. Phys. Lett., vol. 75 pp. 3129, 1999.
• [5] Bonard J-M., Stöckli T., Noury O., Chatelain A.: Appl. Phys. Lett., vol. 78, pp. 2775, 2001.
• [6] Fan S., Chapline M. G., Frankline N. R., et al.: Science, vol. 283, pp.512-514, 1999.
• [7] Kowalska E., Radomska J., Byszewski P., et al.: JMR., vol. 18, no. 10, pp. 2451-2458, 2003.
• [8] Fan S., Chapline M. G., Frankline N. R., et al.: Science, vol. 283, pp. 512-514, 1999.
• [9] Bonard J. M., Croci M., Klinke K., et al.: Phys. Rev. B, vol. 67, pp. 085412, 2003.
• [10] Gröning O., Nilsson L., Clergeraux R., et al.: 15th International Vacuum Microelectronics Conference and 48th International Field Emission Symposium, Lyon 2002, France.
• [11] Gröning O., Kuttel O. M., Emmenegger C., et al.: J. Vac. Sei. Technol. B, vol. 18 pp. 665, 2000.