Rozwój konstrukcji i technologii jonoczułych tranzystorów polowych

• Autorzy: Jaroszewicz B. , Tomaszewski D. , Kociubiński A. , Nikodem M. , Grabiec P. , Pijanowska D. , Torbicz W. , Chudy M.

Warianty tytułu

EN

Design and process development of ion sensitive FET's

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono opracowania dwóch konstrukcji czujników typu jonoczuły tranzystor polowy, ISFET. W pierwszej konstrukcji, zwanej Front Side Contact ISFET (FSC ISFET), elektrody źródła (S) i drenu (D) oraz bramkę tranzystora umieszczono na przedniej stronie struktury. W drugiej konstrukcji - Back Side Contact ISFET (BSC ISFET), elektrody S i D zostały umieszczone na tylnej stronie struktury, tj. po stronie przeciwnej od jej strony czołowej zawierającej chemicznie czuły obszar bramki. Przyrządy zostały scharakteryzowane pod kątem oceny parametrów elektrycznych tranzystora polowego, jak również parametrów chemicznych.

EN

Two ISFETs designs have been presented in this paper. In the first design called Front Side Contact ISFET, the transistor source (S), drain (D) electrodes and the gate have been placed on the front side of the structure. In the second one called Back Side Contact ISFET, the electrodes S and D have been placed on the opposite side to the front surface with the gate functioning as a chemically sensitive area. The assembled devices have been characterised electrically and tested in the solutions of different pH.

Słowa kluczowe

PL

jonoczułe tranzystory FET; konstrukcje FSC; BSC ISFET

EN

front side contact ISFET; p-well ISFET; back side contact ISFET

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 27--28
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz.

Twórcy

autor

Jaroszewicz B.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Tomaszewski D.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kociubiński A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Nikodem M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Grabiec P.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Pijanowska D.

• Instytut Biocybernetyki i Inżynierii Biomedycznej PAN, Warszawa

autor

Torbicz W.

• Instytut Biocybernetyki i Inżynierii Biomedycznej PAN, Warszawa

autor

Chudy M.

• Politechnika Warszawska, Katedra Chemii Analitycznej

Bibliografia

• [1] Pijanowska D., Torbicz W., Jaroszewicz B., Grabiec P.: Czujniki pehametryczne typu p-well ISFET. Elektronizacja - podzespoły i zastosowania elektroniki, nr 6, s. 26-30, 2003.
• [2] van den Vlekkert H. H., et al.: A pH-ISFET and an integrated pH-pressure sensor with back-side contacts. Sensors and Actuators, vol. 14, nr 2, p. 165-176, 1988.
• [3] Ewald D., Van den Berg A. and Grisel A.: Technology for Backside Contacted pH-sensitive ISFETs Embedded in p-Well Structure. Sensors and Actuators, B1, pp. 335-340, 1990.
• [4] Jaroszewicz B., Grabiec P., Koszur J., Kociubiński A., Brzózka Z.: Technology and measurements of backside contacted ISFETs. Proceedings of the 9th International Conference, MIXDES 2002, pp. 139-141, Wrocław, Poland, 20-22 June 2002.
• [5] Chudy M., Dybko A., Wróblewski W., Brzózka Z.: Novel Head for Testing and Measurement of Chemical Microsensors. Anal. Chim. Acta, vol. 429, pp. 347-355, 2001.