Nowe aspekty zjawisk podłożowych w tranzystorach SOI-MOS

• Autorzy: Janczyk G.

Warianty tytułu

EN

New look on SOI-MOS body effects

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Stosowane obecnie modele symulacyjne elementów MOS SOI nie uwzględniają rzeczywistych zjawisk podłożowych. Zastępują je empirycznymi współczynnikami kalibrującymi. Opracowano szkielet nowego, sekcyjnego modelu symulacyjnego elementów MOS SOI.

EN

Popular models of MOS SOI devices neglect real phenomena present within the device substrate. There are many of fitting only, empiric parameters emulating real body phenomena. New compact MOS SOI model was developed and introduced as an alternative to the existing models.

Słowa kluczowe

PL

symulacja; SPICE; pływający potencjał podłoża; model sekcyjny; SSOI; SOI

EN

simulation; SPICE; MOS SOI; selectional SOI

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 25--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz.

Twórcy

autor

Janczyk G.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Opis modelu BSIM-SOI dostępny: http://www-device.EECS.Berkeley. EDU/ ~ bsimsoi/.
• [2] Opis modelu SOISPICE dostępny: http://www.soi.tec.ufl.edu/.
• [3] Janczyk G.: Proc. CADSM’2003 pp. 63-65.
• [4] Faynot O., Poiroux T., Pelloie J. L.: Solid State Electronics, vol. 45, 2001, pp. 599-605.
• [5] Lee M. S. L., Tenbroek M., Redman-White W., Benson J., Uren J. M.: IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 36, no. 1, Jan. 2001, pp. 110-121.