Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000

• Autorzy: Linkowski A. , Łukasiak L. , Jakubowski A.

Warianty tytułu

EN

Modeling the influence of SiGe-base HBT parameters on carrier velocity in the base using APSYS 2000 simulator

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Analiza wpływu domieszkowania i zawartości Ge w bazie tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora przyrządów półprzewodnikowych APSYS 2000.

EN

The influence of such SiGe-base HBT parametrs, as doping and Ge content in the base, on the carrier velocity in the base is studied using APSYS 2000 simulator.

Słowa kluczowe

PL

krzemogerman; tranzystor HBT; prędkość nośników

EN

SiGe; HBT; carrier velocity

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 24--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz.

Twórcy

autor

Linkowski A.

autor

Łukasiak L.

autor

Jakubowski A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] APSYS User’s manual, version 3.6, Crosslight Software Inc., Gloucester, Canada 2000.
• [2] Crosslight Software General Description, Version 2003.4 Edition 1, Crosslight Software Inc., Gloucester, Canada 2003.