Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Modeling the influence of SiGe-base HBT parameters on carrier velocity in the base using APSYS 2000 simulator
Konferencja
Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Analiza wpływu domieszkowania i zawartości Ge w bazie tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora przyrządów półprzewodnikowych APSYS 2000.
The influence of such SiGe-base HBT parametrs, as doping and Ge content in the base, on the carrier velocity in the base is studied using APSYS 2000 simulator.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
24--25
Opis fizyczny
Bibliogr. 2 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Bibliografia
- [1] APSYS User’s manual, version 3.6, Crosslight Software Inc., Gloucester, Canada 2000.
- [2] Crosslight Software General Description, Version 2003.4 Edition 1, Crosslight Software Inc., Gloucester, Canada 2003.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0181