Badanie transportu nośników w niedomieszkowanym krzemie porowatym metodą niestacjonarnego fotoprzewodnictwa

• Autorzy: Bratkowski A. , Łukasiak Z. , Korcala A. , Borowski P. , Bała W.

Warianty tytułu

EN

Photocarrier transport in undoped porous silicon studied by the steady-state and transient photoconductivity

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy krzemu porowatego otrzymano metodą elektochemicznej anodyzacji krzemu typu p. Wykonano pomiary krzemu typu p. Wykonano pomiary przebiegów czasowych fotonapięcia dla różnych długości fal światła wzbudzającego w różnych temperaturach. Pomiary pozwoliły wyznaczyć ruchliwość nośników prądu oraz określić energię głębokich poziomów w strukturze krzemu porowatego.

EN

Porous silicon layers were produced by electrochemical anodisation method. Photocurrent curves at different wavelength of excitation, temperatures and polarization voltages have been measured. Mobility of carriers and deep level energies were determined from photovoltage curves.

Słowa kluczowe

PL

krzem porowaty; fotoprzewodnictwo; ruchliwość nośników

EN

porous silicon; photoconductivity; mobility of carriers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 15--16
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz.

Twórcy

autor

Bratkowski A.

autor

Łukasiak Z.

autor

Korcala A.

autor

Borowski P.

autor

Bała W.

• Uniwersytet Mikołaja Kopernika, Instytut Fizyki, Toruń

Bibliografia

• [1] Estrova E. V., Lebedev A. A., Remenyuk A. D., at al.: Thin Solid Films, vol. 297, pp. 129-131, 1997.
• [2] Cahnam L. T.: Appl. Phys. Lett., vol. 57, pp. 1046, 1990.
• [3] Lee M. K., Wang Y. H., Chu C. H.: Solar Energy Materials & Solar Cells, vol. 59, pp. 59-64, 1999.
• [4] Łukasiak Z., Dalasiński P., Bała W.: Opto-elect. Rev., vol. 11, no. 2, pp. 113-117, 2003.
• [5] Łukasiak Z., Wyrzykowski Z., Sylwisty J., Bała W.: Elec. Tech., vol. 11, no. 1, pp. 207-209, 2000.
• [6] Marc N., Moisan J. Y., Wolffer N., Andre B., Lever R.: Philosophicalal magazine B, vol. 74, no 1, 81-91, 1996.
• [7] Rao P., Schiff E. A., Tsybeskov L., Fauchet P. M.: Advances in Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, vol. 452, pp. 613-618, 1997.