Warstwy termiczne SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS

• Autorzy: Sochacki M. , Łukasiewicz R. , Szmidt J. , Rzodkiewicz W. , Leśko M. , Wiatroszak M.

Warianty tytułu

EN

Thermal oxidation and nitridation of 4H-SiC for MS and MIS power devices

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy wytwarzania warstw SiO2 i SiNxOy metodą termiczną na podłożach 4H-SiC. Na podstawie pomiaru wysokoczęstotliwościowej charakterystyki pojemnościowo-napięciowej (HF C-V) zostały wyliczone: napięcie płaskich pasm, ładunek efektywny, średnia gęstość stanów pułapkowych, domieszkowanie podłoża. Wartości otrzymanych parametrów wskazują na możliwość zastosowania badanych warstw jako dielektryka bramkowego lub do pasywacji przyrządów mocy typu MS i MIS wytwarzanych na podłożach 4H-SiC.

EN

The thermal oxidation and nitridation of 4H-SiC surface was carried out. Flat-band voltage, equivalent oxide charge, average interface-state density and epitaxial layer doping were extracted from the HFcapacitance-voltage curves. Satisfactory electrical parameters of films indicate a possibility of application as a gate insulator for MIS devices and also for passivation and as an edge termination for power MS and MIS devices.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; utlenianie termiczne; dwutlenek krzemu; tlenkoazotki krzemu; pasywacja

EN

silicon carbide; thermal oxidation; silicon dioxide; passivation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 9--10
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz.

Twórcy

autor

Sochacki M.

autor

Łukasiewicz R.

autor

Szmidt J.

autor

Rzodkiewicz W.

autor

Leśko M.

autor

Wiatroszak M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Shenai K., Scott R. S., Baliga J.: IEEE Trans. Electron Devices, vol. 36, no. 9, p. 1811, 1989.
• [2] Radtke C., Brandao R. V., Pezzi R.P., Morais J., Baumvol I.J.R., Stedile F. C., Nucl. Instr, and Meth, in Phys. Res., vol B190, p. 579,2002.
• [3] Friedrichs P., Burte E. P., Schorner R., Solid State Electronics, vol. 41, p. 991, 1997.
• [4] Harris C. I., Afanasev V. V., Microelectronic Engineering, vol. 36, p. 167, 1997.
• [5] Chung G.Y., Tin C. C., Williams J. R., McDonald K., Di Ventra M., Pantelides S. T., Feldman L. C., Appl. Phys. Lett., vol. 76, no. 13, p. 1713, 2000.
• [6] Lai P. T., Xu J. P., Chan C. L., IEEE Electron Device Lett., vol 23, no. 7, p. 410, 2002.
• [7] Li H. F., Dimitrijev S., Harrison H. B., IEEE Elecron Device Lett., vol. 19, p. 279, 1998.