Zastosowanie warstw azotków do konstrukcji filtrów z powierzchniową fala akustyczną

• Autorzy: Szyszka A. , Paszkiewicz B. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M. , Dumiszewska E. , Strupiński W. , Teodorczyk M.

Warianty tytułu

EN

Applications of nitrides layers for surface acoustic wave filters

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad opracowaniem technologii i konstrukcji filtrów z powierzchniową falą akustyczną wytwarzanych na epitaksjalnych warstwach azotków. Wykonano struktury filtrów SAW. Przedstawiono charakterystyki prądowo napięciowe przetworników międzypalczastych oraz przykładową charakterystykę częstotliwościową filtra wykonanego na warstwie Al0,147Ga0,853 N/Ga.

EN

The SAW (Surface Acoustic Wave) transducers technology based on epitaxial layers of nitrides were designed. The device structures were fabricated. Their dc frequency characteristic were measured and discussed.

Słowa kluczowe

PL

SAW; filtr z powierzchniową falą akustyczną; AlGaN

EN

SAW; surface acoustic wave filter; AlGaN

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 8--9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Szyszka A.

autor

Paszkiewicz B.

autor

Paszkiewicz R.

autor

Tłaczała M.

autor

Dumiszewska E.

autor

Strupiński W.

autor

Teodorczyk M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Steindl R., et. al.: Tempmeko99 Proceedings, 90, 9013359, 3,1999, 424.
• [2] Lee S. H., et. al.: Electron Devices, 48, 2001, 524.
• [3] Gualtieri J.G., Kosiński J. A., Ballato A.: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contr., 41, 1994, 53.
• [4] Yamanouchi K., Hayama S.: IEEE Trans. Sonics. Ultrason., 31, 1984, 122.