Wytwarzanie ultracienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plaźmie w. cz.

• Autorzy: Bienek T. , Beck R. B. , Jakubowski A. , Kudła A.

Warianty tytułu

EN

Formation of ultrathin oxide layers by low temperature oxidation in r.f. plasma

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The aim of this work is the experimental study of potential possibilities of oxidation in r.f. (13.56 MHz) plasma application for the formation of ultrathin (<10 nm) oxide layers.

PL

Praca poświęcona jest badaniu potencjalnych możliwości zastosowania plazmy w cz. (13,56 MHz) do wytwarzania ultracienkich (<10nm) warstw SiO2.

Słowa kluczowe

EN

oxidation; plasma processing; ultrathin layers; silicon; PECVD

PL

utlenianie; plazma; ultracienkie warstwy; krzem; PECVD

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 6--7
• Opis fizyczny: Bibliogr. 1 poz.

Twórcy

autor

Bienek T.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Beck R. B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Jakubowski A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Kudła A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Beck R. B., Jakubowski A., Rużyłło J.: Electrical Properties of Ultra-thin Oxide Layers Formed by D.C. Plasma Anodisation, Proceedings of Conference on Insulating Films on Semiconductors - INFOS’81 - Erlangen (Germany) 27-29 April 1981.