Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu

Zarębski, J.; Dąbrowski, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu

Autorzy

Zarębski J. , Dąbrowski J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

The structures of the SiC Schottky diodes

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy dokonano przeglądu, wytworzonych w skali laboratoryjnej, nowoczesnych struktur diod Schottky'ego z węglika krzemu. Pokazano różnorodność rozwiązań konstrukcyjnych i technologicznych, umożliwiających uzyskanie wysokich wartości napięć przebicia. Przedstawiono krótką charakterystykę każdej ze struktur, podając uzyskane wartości parametrów funkcjonalnych oraz charakterystyki prądowo-napieciowe.

In this paper the review of the modern structures of the SiC Schottky diodes is presented. The diversity of constructions and technologies, which make it possible to obtain hign breakdown voltages of these devices, has been shown. Each described structure is shortly characterized by its parameter values and the d.c.characterictics.

Słowa kluczowe

węglik krzemu diody Schottky'ego

silicon carbide Schottky diodes

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2004

Tom

Vol. 45, nr 6

Strony

17--21

Opis fizyczny

Bibliogr. 25 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski J.

Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Dąbrowski J.

Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

1. Klamka J.: SiC - Półprzewodnik do przyrządów pracujących w podwyższonej temperaturze. Elektronizacja, nr 2, 2003.
2. Johnson C. M., Wright N.G., Uren M.J., Hilton K. P., Rahimo M., Hinchley D. A., Knights A. P., Morrison D.J., Horsfall A. B., Ortolland S., O’Neill A. G.: Recent Progress and Current Issues in SiC Semiconductor Devices for Power Applications. IEE Proc-Circuits Devices Syst., vol. 148, no. 2, April 2001.
3. Schoen K. J., Woodall J. M., Cooper J. A. Jr., Melloch M. R.: Design Considerations and Experimental Analysis of High-Voltage SiC Schottky Barrier Rectifiers. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 45, no. 7, July 1998.
4. http://www.grc.nasa.gov/www.sic/sicreview.html: Philip G. Neudeck: Recent Progress in Silicon Carbide Semiconductor Electronics. 1995.
5. Casady J. B., Johnson R. W.: Status of Silicon Carbide (SiC) as a Wide-Bandgap Semiconductor for High-Temperature Applications: a Review. Solid-State Electronics vol. 39, no. 10, 1996.
6. Singh Y., Kumar M. J.: A New 4H-SiC Lateral Merged Double Schottky (LMDS) Rectifier With Excellent Forward and Reverse Characteristics. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 48, no. 12, December 2001.
7. Johnson C. M., O'Neill A. G., Wright N. G.: Wide Band-Gap Electronics for High Temperature High Power Applications. Seminar on Power Semiconductors ISPS'98, Prague, September 1998.
8. Weitzel Ch.E., Palmour J.W., Carter C.H. Jr., Moore K., Nordquist K.J., Allen S., Thero Ch., Bhatnagar M.: Silicon Carbide High-Power Devices. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 43, no. 10, October 1996.
9. Singh R., Cooper J. A. Jr., Melloch M. R., Chow T. P., Palmour J.W.: SiC Power Schottky and PiN Diodes. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 49, no. 4, April 2002.
10. Brezeanu G., Badila M., Tudor B., Millan J., Godignon P., Udrea F., Amaratunga G. A. J., Mihaila A.: Accurate Modeling and Parameter Extraction for 6H-SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) With Nearly Ideal Breakdown Voltage. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 48, no. 9, September 2001.
11. Sheridan D. C., Niu G., Merrett J.N., Cressler J.D., Dufrene J. B., Casady J. B., Sankin I.: Comparison and Optimization of Edge Termination Techniques for SiC Power Devices. International Symposium on Power Semiconductor Devices & lcs, Osaka 2001.
12. Schoen K.J., Henning J.P., Woodall J. M., Cooper J. A., Melloch M. R.: A Dual-Metal-Trench Schottky Pinch-Rectifier in 4H-SiC. IEEE Electron Device Letters, vol. 19, no. 4, April 1998.
13. http://wMM.cree.com: Power product line. March 2001.
14. Zhao J. H., Alexandrov P., Li X.: Demonstration of the First 10-kV 4H-SiC Schottky Barrier Diodes. IEEE Electron Device Letters, vol. 24, no. 6, June 2003.
15. Sugawara Y., Takayama D., Asano K., Singh R., Palmour J., Hayashi T.: 12-19 kV 4H-SiC pin Diodes with Low Power Loss. International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Osaka 2001.
16. Saxena V., Su J. N., Steckl J. A.: High-Voltage Ni- and Pt-SiC Schottky Diodes Utilizing Metal Field Plate Termination. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 46, no. 3, March 1999.
17. Baliga B.J.: Modern Power Devices. John Wiley and Sons, New York 1987.
18. Ueno K., Urushidani T., Hashimoto K., Seki Y.: The Guard-Ring Termination for the High-Voltage SiC Schottky Barrier Diodes. IEEE Electron Device Letters, vol. 16, no. 7, July 1995.
19. Kinoshita K., Hatakeyama T., Takikawa O., Yahata A., Shinohe T.: Guard Ring Assisted RESURF: A New Termination Structure Providing Stable and High Breakdown Voltage for SiC Power Devices. IEEE 2002.
20. Vassilevski K. V., Horsfall A. B., Johnson C. M., Wright N. G., O'Neill A.G.: 4H-SiC Rectifiers with Dual Metal Planar Schottky Contacts. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 49, no. 5, May 2002.
21. Roccaforte F., La Via F., La Magna A., Di Franco S., Raineri V.: Silicon Carbide Pinch Rectifiers Using a Dual-Metal Ti-Ni2Si Schottky Barrier. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 50, no. 8, August 2003.
22. Kumar Jagadesh M., Reddy Linga C.: A New, High-Voltage 4H-SiC Lateral Dual Sidewall Schottky (LDSS) Rectifier: Theoretical Investigation and Analysis. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 50, no. 7, July 2003.
23. http://WMw/.onsemi.com/site/products/MBR20200CT
24. http://wvwViinfineon.com
25. http://www.advancedpower.com/PressRoom/NewProducts

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0162