Analiza profilowa SIMS w zastosowaniu do badań nanostruktur warstwowych

• Autorzy: Konarski P. , Ćwil M.

Warianty tytułu

EN

SIMS depth profile analysis of nanostructures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono aparaturę badawczą SAJW-05 przeznaczoną do analizy profilowej struktur warstwowych metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS) oraz przykładowe wyniki jej zastosowania do analizy różnorodnych struktur warstwowych. Badano struktury: lasera półprzewodnikowego InAlGaAs/GaAs o grubości warstw 3,7 um, otrzymaną metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), wielowarstwową nanostrukturę B₄C/Mo/Si o grubości warstw 20 nm, otrzymaną metodą naparowania chemicznego (CVD), a także warstwy ochronne TiN i CrN nanoszone metodą plazmową na powierzchnię stali. Zaprezentowano wyniki uzyskane przy różnych parametrach wiązki trawiącej.

EN

Research instrument SAJW-05 designed for secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis is presented together with the examples of its application. Analysed layered systems were: semiconductor laser structure InAlGaAs/GaAs of total thickness 3.7 um obtained by molecular beam epitaxy (MBE) multilayer nanostructure B₄C/Mo/Si of total thickness 20 nm obtained by chemical vapour deposition (CVD) and Ti-Cr-N coatings on steel formed by condensation method from a plasma phase. Depth profile analyses were performed using different sputtering conditions. Ultra-low energy bombardment of B₄C/Mo/Si structure resulted in subnanometer depth profile resolution.

Słowa kluczowe

PL

spektrometria mas jonów wtórnych (SIMS); analiza profilowa; nanostruktury warstwowe; trawienie jonowe

EN

secondary ion mass spectrometry (SIMS); depth profile analysis; layered nanostructures; ion sputtering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 6
• Strony: 10--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Konarski P.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Ćwil M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

Bibliografia

• 1. Clegg J.B.: Surf. Interface Anal. 10, 332 (1987)
• 2. Hofmann S.: Appl. Surf. Sci. 70/71, 9 (1993)
• 3. Kaufman E., Konarski P., Sobolewski A.: Pr. Nauk. Polit. Warsz. - Elektronika, 143, 179 (2002)
• 4. Andreev S. S., Akhasakhalyan A. D., et al.: Thin Solid Films, 263, 169 (1995)
• 5. Khadasevich V. V., Solodukhin I. A., Uglov V. V. et al.: Surface and Coatings Technology. 98, 1433 (1998)
• 6. Konarski P., Mierzejewska A.: Applied Surface Science, 203-204, 354 (2003)
• 7. Konarski P., Iwanejko I., Ćwil M.: Vacuum 70 385 (2003)
• 8. Konarski P., Iwanejko I., Mierzejewska A.: Applied Surface Science, 203-204, 757 (2003)