Fotoemisja a przejścia optyczne

Wojas, J.; Wojas, W.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Fotoemisja a przejścia optyczne

Autorzy

Wojas J. , Wojas W.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

http://biuletynwat.pl/

Identyfikatory

Warianty tytułu

Photoemission and optical transitions

Języki publikacji

Abstrakty

Treścią pracy jest analityczne przedstawienie mechanizmu fotoemisji skorelowanego z przejściami optycznymi. Przedyskutowano klasyczne modele pasmowe fotoemisji zależne od przejść objętościowych. Omówiono wpływ przypowierzchniowego wygięcia pasm energetycznych na parametry fotoemisji. Z danych doświadczalnych: z widm odbicia, z widm wydajności kwantowej i rozkładu fotoelektronów zostały wyciągnięte informacje co do energetycznej struktury warstw przypowierzchniowych półprzewodników, przedstawionych na rysunkach.

The paper is devoted to the analysis of photoemissive mechanism which is corelated with the optical transitions of electrons. The classical models of photoemission based on the volume, optical transitions are discussed. The dependence of the photoemissive parameters of semiconductors on the surface band bending is described. From the experimental data: for example from the reflective spectra the quantum yield functions and the photoelectron distributions, the informations about the energy structure of surface layers of semiconductors are indicated and presented in the graphic form.

Słowa kluczowe

fotoemisja przejścia optyczne

photoemission optical transitions

Wydawca

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Czasopismo

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

Rocznik

2003

Tom

Vol. 52, nr 12

Strony

49--88

Opis fizyczny

Bibliogr. 33 poz.

Twórcy

autor

Wojas J.

Aleja Przyjaciół 1 m 4, 00-565 Warszawa

autor

Wojas W.

Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego, 02-787 Warszawa, ul. Nowoursynowska 166

Bibliografia

[1] C. KITTEL, Wstęp do fizyki ciała stałego. PWN, Warszawa 1974.
[2] WALTER A. HARRISON, Teoria ciała stałego, PWN, Warszawa 1976.
[3] M. L. COHEN, J. C. PHILLIPS, Spectral Analysis of photoe missive yields in Si, Ge, GaAs, GaSb, InAs and InSb Phys. Rev., 139, 3A (1965), A912
[4] G. W. GOBELI, F. G. ALLEN, Photoelectric properties of cleaved GaAs, GaSb, InAs and InSb surfaces; Comparison with Si and Ge, Phys.Rew., 137, 1A, (1965), A245
[5] M. COHEN, T. E. BERGSTRESSER, Band structures and pseudopolential from factors for fourteen semiconductors of the diamond and zincblende structures, Phys.Rev., 141,2 (1966), 789.
[6] H. R. PHILIPP, H. EHRENREICH, Optical properties of semiconductors, Phys.Rev. 129, (1963), 1550
[7] L. LEY, M. CARDONA, R. A. POLLAK, Topics in Applied Physics, Photoemission in Solids II, Photoemission in Semiconductors, 27.11 (1979), Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York.
[8] D. BRUST, M. L. COHEN, J. C. PHILLIPS, Reflectance and Photoemission from Si, Phys Rev Lett, 9 (1962), 389.
[9] G. W. GOBELI, F. G. ALLEN, Semiconductors and semimetals. Vol. 12, Physics of III-V Compounds, Academic Press, New York and London 1966
[10] J. VAN LAAR, J. J. SCHEER, GAAs-Cs: A new type of photoemitter. Solid State Communication Surface Sci. 3 (1965), 189, 8 (1967), 342.
[11] E. O. KANE, Theory of photoelectric emission from semiconductors, Phys Rev 127,(1962), 131: Phys. Rev. 146(1966), 558; 147, (1966), 335
[12] J. BALLANTYNE, Effect of Phonon Energy Loss on Photoemissive Yield near Threshold, Phys. Rev B, 6, No 4 (1972), 1436
[13] J. J. SCHEER, VAN J. LAAR, Influence of band bending on photoelectric emission from silicon single crystals, Phillips Res. Repts. 17 (1962), 101.
[14] N. В. KINDIG, J. of Appl. Phys., 38 (1967), 3285
[15] T. E. FiISHER, Determination of semiconductor surface properties by means of photoelectric emission. Surface Sci. , 13, (1969), 30
[16] ADACHI SADAO, Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs and InGaAsP, Editor John Wiley, New York 1992.
[17] H. EHRENREICH, H. R. PHILIPP, J. C. PHILIPS, Interband Transitions in Groups 4, 3-5 and 2-6 Semiconductors, Phys Rev. Lett 8 (1962), 59
[18] W. G. GOBELI, F. G. ALLEN, Direct and indirekt excitation processes in photoelectric emission from siliconn, Phys.Rev 127(1962), 141
[19] T. FISCHER, F. G. ALLEN, G. W. GOBELI, Photoelectric Emission from InAs: Surfance Properties and Interband Transitions, Phys Rev. 163, 3 (1967), 703.
[20] W. E. SPICER, R. E. SIMON, Photoemissive studies of the band structure of silicon, Phys Rev.Lett., 9, 9(1962), 385
[21] F. G. ALLEN, G. W. GOBELI, Energy Structure in Photoelectric Emission from Cs Covered Silicon and Germanium, Phys.Rev 144, (1965), 558.
[22] J. WOJAS, O wydajności fotoemisji i jej długofalowych progach. Archiwum Elektrotechniki, Tom XXXI (1982), 375.
[23] T. Е. FISCHER, Reflectivity. Photoelectric Emission and Work Function of AlSb, Phys Rev, 139,4A, (1965), A1228.
[24] T. E. FISCHER, Photoelectric Emission and Work Function of InP, Phys.Rev., 142 (1966), 519
[25] W. E. SPICER, Prociding of Density of Slates Conference, Washington, DC.: Nat. Bureau of Standards, November 1969.
[26] W. E. SPICER i inni, J.Vac. Sci. Technol., 13 (1976), 233: 14, (1977), 372.
[27] W. E. SPICER, r.C. EDEN, Proc. 9 th Conference on physics of Semiconductors, Moscow, Leningrad, USSR: nauka, 1968.
[28] D. BOLMOND, P. CHEN, C. A. SEBENNE, Electronic properties of Ga/GaAs (110) upon interface formation, Surface Science, 117 (1982), 417.
[29] P. О. NILSSON, Electronic structure of semiconductor surfaces studied by photoelectron spectroscopy, Acta Phys. Pol. A, 96 (1994), 799.
[З0] P E. GREGORY, W. E. SPICER, Photoemission study of surface states of the GaAs (110) surface, Phys. Rev., 13 (1976), 725.
[31] T. S MOSS, Handbook on Semiconductors, vol. 1. Band Theory and Transport Properties, North-Holland, 1982
[32] KANSKI, P. О. NILSSON, U. О. KARLSSON, Appl. Surf.Sci., 56 (1992), 604.
[33] A. V. MAC RAE, G. W. GOBELI, Physics of lll-V Compounds, 2, New York Academic Press, Inc New York (1996), 115.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0124